标准频率,高温振荡器gydF4y2Ba

该SiT1618B是在33个标准频率选择,从7.3728兆赫至48兆赫,和两个温度范围,分机工业和汽车。该振荡器具有±20ppm的稳定性,小2.0×1.6毫米封装(4个可用的其他包),3.6毫安低功耗,和最佳的级冲击和振动。gydF4y2Ba

SiT1618与石英晶体振荡器的足迹兼容,使其成为不需要改变设计的石英设备的理想替代品。gydF4y2Ba

对于SOT23-5包中的类似设备,请参阅gydF4y2BaSiT2018BgydF4y2Ba振荡器。gydF4y2Ba

程序振荡器,以获得即时样本,优化的性能,和快速原型|gydF4y2Ba了解更多gydF4y2Ba

五组行业标准的足迹小2016的所有频率,电压和稳定性gydF4y2Ba
振荡器类型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 33标准频率gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20,±25,±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 psgydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba LVCMOSgydF4y2Ba
工作温度范围(℃)gydF4y2Ba -40至+105,-40至+125gydF4y2Ba
FlexEdgegydF4y2BaTMgydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba 1.8,2.5〜3.3gydF4y2Ba
²包类型(毫米)gydF4y2Ba 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0gydF4y2Ba
特性gydF4y2Ba 现场可编程,高温125℃下gydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

±20 ppm,在汽车温度。(-40至125℃)gydF4y2Ba

  • 更好的时序余量非常适合户外和高温度的运行环境gydF4y2Ba

可配置的特性集gydF4y2Ba

  • 33个标准频率在7.3728 MHz至48 MHz之间gydF4y2Ba
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V供电电压:gydF4y2Ba
  • 为最佳系统性能定制规格gydF4y2Ba
  • 使用相同的基础设备在许多设计降低资质需求gydF4y2Ba

0.1 ppb/g低g敏感性gydF4y2Ba

  • 改善系统在振动下的性能gydF4y2Ba
  • 载波弃用测试达标(STB等)gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下的最佳系统可靠性gydF4y2Ba
  • 更少的产品失败gydF4y2Ba

FlexEdge™驱动力gydF4y2Ba

  • 从振荡器最小化EMI较慢的上升/下降时间gydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载降低成本和消除附加的定时元件gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%滴入替换石英晶体振荡器gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和变速器的ECUgydF4y2Ba
  • XTAL更换gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN封装组成的报告(SiT160X,SiT800X,SiT1618,SiT89XX)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器制造注意事项gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime的冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
日期代码的SiTime保证(16.72 kB)gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015年注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装检验报告- UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装检验报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - 嘉盛gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX,SiT89XX高温产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料及SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime的环境合规性声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
欧盟RoHS认证gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT1618 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 12.288MHz的LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 13.52127MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 13.225625MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 15MHz的LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 19.6608MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 22.1184MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 24MHz的LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 26MHz的LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 30MHz的LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 48MHz的LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT1618(LVCMOS,1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT1618 (LVCMOS 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS和石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器提升时钟性能在工业和Hi-的可靠性应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量时钟抖动精密定时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
在精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何得到即时振荡器与SiTime的新领域程序员gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS与石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
使用高温、超稳健的MEMS振荡器提高工业设备的性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供了好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS计时解决方案改善触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
医疗应用现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超健壮的MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于MEMS谐振器和振荡器,现在更换石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
取得联系与MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT1618B数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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顶部8的理由使用的振荡器,而不是一个晶体谐振器的gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
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一种PCI Express Refclk抖动依从使用相位噪声分析仪gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
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QFN 2520 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 3225 4针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
SiTime的MEMS定时解决方案(8.5x11)gydF4y2Ba MEMS计时解决方案手册/传单gydF4y2Ba
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SiTime MEMS定时解决方案(A4)中文gydF4y2Ba MEMS计时解决方案手册/传单gydF4y2Ba
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