标准频率，高温振荡器gydF4y2Ba
SiT1618B有33个标准频率，从7.3728 MHz到48 MHz，两个温度范围，工业和汽车。该振荡器具有±20ppm的稳定性，2.0 x 1.6 mm的小封装(4个其他可用的封装)，3.6 mA低功耗，以及一流的冲击和振动。gydF4y2Ba
SIT1618是与石英晶体振荡器兼容的占地面积，使得石英设备的理想替代品而无需设计变化。gydF4y2Ba
对于SOT23-5包中的类似设备，请参阅gydF4y2BaSiT2018BgydF4y2Ba振荡器。gydF4y2Ba
编程振荡器，以获得即时样本，优化性能，和快速原型|gydF4y2Ba学到更多gydF4y2Ba
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| 振荡器类型gydF4y2Ba | XO-SEgydF4y2Ba |
| 频率gydF4y2Ba | 33标准频率gydF4y2Ba |
| 频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba | ±20±25±50gydF4y2Ba |
| 相位抖动(rms)gydF4y2Ba | 1.3 PS.gydF4y2Ba |
| 输出类型gydF4y2Ba | lvcmos.gydF4y2Ba |
| 工作温度范围(°C)gydF4y2Ba | -40到+105，-40到+125gydF4y2Ba |
| FlexEdge.gydF4y2BaTM值gydF4y2Ba上涨/下降时间gydF4y2Ba | 是gydF4y2Ba |
| 供电电压(V)gydF4y2Ba | 1.8, 2.5到3.3gydF4y2Ba |
| 包类型（mm²）gydF4y2Ba | 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0 0x3.2, 7.0 0x5.0gydF4y2Ba |
| 特征gydF4y2Ba | 现场可编程，高温125°CgydF4y2Ba |
| 可用性gydF4y2Ba | 生产gydF4y2Ba |
五组行业标准的足迹小2016的所有频率，电压和稳定性gydF4y2Ba
SiT1618引脚分配与可编程引脚1，可设置为输出启用，待机，或无连接，以优化功耗gydF4y2Ba
可配置的FlexEdge驱动强度通过减慢/下降时间来减少EMI - 例如，第11个时钟谐波减少了35 dB，从5％到45％的时间段内增加了35 dBgydF4y2Ba
±20 ppm，在汽车温度。（-40至125℃）gydF4y2Ba
- 更好的时序余量非常适合户外和高温度的运行环境gydF4y2Ba
可配置的特性集gydF4y2Ba
- 33个标准频率，范围为7.3728 MHz至48 MHzgydF4y2Ba
- 1.8 V或2.5 V至3.3 V电源电压：gydF4y2Ba
- 为优化系统性能定制规格gydF4y2Ba
- 在许多设计中使用相同的基础设备，以减少资质要求gydF4y2Ba
0.1 ppb / g低g灵敏度gydF4y2Ba
- 改善了振动下的系统性能gydF4y2Ba
- 载波弃用测试达标（STB等）gydF4y2Ba
70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50,000人gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba
- 恶劣环境中最好的系统可靠性gydF4y2Ba
- 更少的产品失败gydF4y2Ba
FlexEdge™驱动力量gydF4y2Ba
- 较慢的上升/下降时间，使振荡器的电磁干扰降到最低gydF4y2Ba
- 通过驱动多个负载降低成本，并消除额外的定时组件gydF4y2Ba
5个行业标准包gydF4y2Ba
- 100％替换石英晶体振荡器的替换gydF4y2Ba
超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba
- 降低库存成本gydF4y2Ba
- 缓解短缺风险gydF4y2Ba
- 发动机和传动ecugydF4y2Ba
- 晶体替代gydF4y2Ba
- ADAS电脑gydF4y2Ba
- 汽车摄像头gydF4y2Ba
- 信息娱乐gydF4y2Ba
- SIT1618 7.3728MHz LVCMOS.gydF4y2Ba
- SiT1618 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SIT1618 9.84375MHz LVCMOS.gydF4y2Ba
- SiT1618 12.288MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 13.52127MHz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SIT1618 20MHz LVCMOS.gydF4y2Ba
- SiT1618 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT1618 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SIT1618 40MHz LVCMOS.gydF4y2Ba
- SiT1618 48MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
| 文档名称gydF4y2Ba | 类型gydF4y2Ba |
|---|---|
| 4L-QFN封装组成报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba | 组成报告gydF4y2Ba |
| 电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| 截至振荡器的制造票据gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime冲突金属声明gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| 环境政策环境政策gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime的日期码保证(16.72 kB)gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| ISO9001:2015注册证书gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| 冲突矿物报告模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN封装资格报告 - UTACgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装鉴定报告- ASEgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN封装鉴定报告 - 嘉盛gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| SiT16XX、SiT89XX高温产品确认报告gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 爵士塔晶片SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| WLCSP包装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| SiTime环保合规声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 符合性证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |