标准频率,高温振荡器gydF4y2Ba

SiT1618B有33个标准频率,从7.3728 MHz到48 MHz,两个温度范围,工业和汽车。该振荡器具有±20ppm的稳定性,2.0 x 1.6 mm的小封装(4个其他可用的封装),3.6 mA低功耗,以及一流的冲击和振动。gydF4y2Ba

SIT1618是与石英晶体振荡器兼容的占地面积,使得石英设备的理想替代品而无需设计变化。gydF4y2Ba

对于SOT23-5包中的类似设备,请参阅gydF4y2BaSiT2018BgydF4y2Ba振荡器。gydF4y2Ba

编程振荡器,以获得即时样本,优化性能,和快速原型|gydF4y2Ba学到更多gydF4y2Ba

查看相关产品:gydF4y2Ba1至110兆赫gydF4y2Ba|gydF4y2Ba115至137兆赫gydF4y2Ba|gydF4y2Ba汽车和高温阵容gydF4y2Ba

五组行业标准的足迹小2016的所有频率,电压和稳定性gydF4y2Ba
振荡器类型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 33标准频率gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20±25±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 PS.gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba lvcmos.gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba -40到+105,-40到+125gydF4y2Ba
FlexEdge.gydF4y2BaTM值gydF4y2Ba上涨/下降时间gydF4y2Ba 是gydF4y2Ba
供电电压(V)gydF4y2Ba 1.8, 2.5到3.3gydF4y2Ba
包类型(mm²)gydF4y2Ba 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0 0x3.2, 7.0 0x5.0gydF4y2Ba
特征gydF4y2Ba 现场可编程,高温125°CgydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

±20 ppm,在汽车温度。(-40至125℃)gydF4y2Ba

  • 更好的时序余量非常适合户外和高温度的运行环境gydF4y2Ba

可配置的特性集gydF4y2Ba

  • 33个标准频率,范围为7.3728 MHz至48 MHzgydF4y2Ba
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V电源电压:gydF4y2Ba
  • 为优化系统性能定制规格gydF4y2Ba
  • 在许多设计中使用相同的基础设备,以减少资质要求gydF4y2Ba

0.1 ppb / g低g灵敏度gydF4y2Ba

  • 改善了振动下的系统性能gydF4y2Ba
  • 载波弃用测试达标(STB等)gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50,000人gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 恶劣环境中最好的系统可靠性gydF4y2Ba
  • 更少的产品失败gydF4y2Ba

FlexEdge™驱动力量gydF4y2Ba

  • 较慢的上升/下降时间,使振荡器的电磁干扰降到最低gydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载降低成本,并消除额外的定时组件gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%替换石英晶体振荡器的替换gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和传动ecugydF4y2Ba
  • 晶体替代gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN封装组成报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba 组成报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
截至振荡器的制造票据gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境政策环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime的日期码保证(16.72 kB)gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - 嘉盛gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX、SiT89XX高温产品确认报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
爵士塔晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环保合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
符合性证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SIT1618 7.3728MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SIT1618 9.84375MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 12.288MHz的LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 13.52127MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SIT1618 20MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SIT1618 40MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618 48MHz的LVCMOSgydF4y2Ba 频率相关测试报告gydF4y2Ba
SiT1618(LVCMOS,1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT1618 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS经验石英振荡器gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高了时钟性能gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何测量精密计时应用中的时钟抖动gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新现场编程器gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
Silicon Mems VS石英供应链gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
提高高温,超强MEMS振荡器的工业设备的性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供了好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS计时解决方案改善了触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
现场可编程定时解决方案的医疗应用gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超强鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用中的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于mems的谐振器和振荡器正在取代石英gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
取得联系与MEMS:机电接口gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SIT1618B数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタクロックジッタの定义と方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10025恒化振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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MEMSおよび水晶ベース発振の电阻场感受率の比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS振荡器与石英振荡器的电磁磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
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如何衡量长期抖动和周期到周期抖动精密定时应用gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
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ITU-T标准AN10052 IEEE 1588精确时间协议(PTP)gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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QFN 3225 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 5032 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(8.5x11)gydF4y2Ba MEMS定时解决方案小册子/飞行员gydF4y2Ba
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Sentime MEMS时序解决方案(A4)中文gydF4y2Ba MEMS定时解决方案小册子/飞行员gydF4y2Ba
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