SiT1618

数据表GydF4y2Ba
部件号发电机GydF4y2Ba 部件号码解码器GydF4y2Ba 库存搜索GydF4y2Ba

标准频率，高温振荡器GydF4y2Ba

The SiT1618B is available in 33 standard frequencies, from 7.3728 MHz to 48 MHz, and two temperature ranges, ext. industrial and automotive. This oscillator features ±20 ppm stability, small 2.0 x 1.6 mm package (4 other packages available), 3.6 mA low power consumption, and best-in-class shock and vibration.

SiT1618与石英晶体振荡器的占地面积兼容，使其成为无需改变设计的石英器件的理想替代品。GydF4y2Ba

对于SOT23-5封装中的类似设备，请参阅GydF4y2BaSIT2018B.GydF4y2Ba振荡器。GydF4y2Ba

程序振荡器以获得即时样本，优化的性能和快速原型|GydF4y2Ba了解更多GydF4y2Ba

View related products:1 to 110 MHz|GydF4y2Ba115到137 MHzGydF4y2Ba|GydF4y2Ba汽车和高温产品系列GydF4y2Ba

五个行业标准脚印，适用于2016年，适用于所有频率，电压和稳定性GydF4y2Ba
振荡器类型GydF4y2Ba XO-SE.GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba 33标准频率GydF4y2Ba
频率稳定性（PPM）GydF4y2Ba ±20, ±25, ±50
阶段抖动（RMS）GydF4y2Ba 1.3马力GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba LVCMOSGydF4y2Ba
工作温度范围（°C）GydF4y2Ba -40 to +105, -40 to +125
FlexEdge公司GydF4y2Ba商标GydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba 是的GydF4y2Ba
Voltage Supply (V) 1.8, 2.5 to 3.3
包装类型（mm²）GydF4y2Ba 2.0x1.6,2.5x2.0，3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0GydF4y2Ba
特征GydF4y2Ba Field programmable, High temperature 125°C
Availability 生产GydF4y2Ba
  • 五个行业标准脚印，适用于2016年，适用于所有频率，电压和稳定性GydF4y2Ba
    放大GydF4y2Ba

    五个行业标准脚印，适用于2016年，适用于所有频率，电压和稳定性GydF4y2Ba

  • SiT1618 pin assignments with programmable pin 1 that can be set to Output Enable, Standby, or No Connect to optimize power consumption
    放大GydF4y2Ba

    SiT1618 pin assignments with programmable pin 1 that can be set to Output Enable, Standby, or No Connect to optimize power consumption

  • 可配置的FlexEdge驱动器强度通过减慢上升/下降时间来降低EMI–例如，通过将上升/下降沿从周期的5%增加到45%，第11个时钟谐波减少了35 dBGydF4y2Ba
    放大GydF4y2Ba

    可配置的FlexEdge驱动器强度通过减慢上升/下降时间来降低EMI–例如，通过将上升/下降沿从周期的5%增加到45%，第11个时钟谐波减少了35 dBGydF4y2Ba

汽车温度±20 ppm。（-40至125°C）GydF4y2Ba

  • 更好的时序边距，非常适合户外和高温操作环境GydF4y2Ba

可配置功能集GydF4y2Ba

  • 33标准频率在7.3728 MHz和48 MHz之间GydF4y2Ba
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V电源电压：GydF4y2Ba
  • 自定义最佳系统性能规范GydF4y2Ba
  • Use same base device for many designs reducing qualification needs

0.1 ppb/g低g灵敏度GydF4y2Ba

  • 改善振动下的系统性能GydF4y2Ba
  • 载体滴测试合规性（STB等）GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动与振动GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 恶劣环境下的最佳系统可靠性GydF4y2Ba
  • 更少的产品故障GydF4y2Ba

FlexEdge公司™ drive strength

  • Slower rise/fall time that minimizes EMI from the oscillator
  • Lower cost by driving multiple loads and eliminate additional timing components

5个行业标准套餐GydF4y2Ba

  • 石英晶体振荡器更换率下降100%GydF4y2Ba

超快速的交换时间（4至6周）GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • Engine & transmission ECUs
  • XTAL replacement
  • ADAS computer
  • 汽车摄像机GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba

狭窄：GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN Package Composition Report (SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX) 成分报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime Conflict Metal Declaration 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修（16.72 kB）GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015 Certificate of Registration 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告-UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - 汽车GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX High Temp Product Qualification Report 可靠性报告GydF4y2Ba
TSMC Wafer SGS Report RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS Report RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS Report RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
SiTime Environmental Compliance Declaration RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

Eval Boards（GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba）GydF4y2Ba– SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)

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Time Machine II Programmer– Program frequency, voltage, stability & more

频率斜率（dF/dT）计算器GydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

2016年4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050 4-Pins- 使用QFN预览包GydF4y2Ba3D step models

狭窄：GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT1618 7.3728MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 9.84375MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 12.288MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 13.52127MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 13.225625MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 13MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 15MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 19.6608MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 20MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 22.1184MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 24MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 26MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 27MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 30MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 36MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 40MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 48MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618（LVCMOS，1.8 V）GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT1618（LVCMOS，3.3 V）GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 演示文稿GydF4y2Ba
硅MEMS与石英振荡器的性能比较GydF4y2Ba 演示文稿GydF4y2Ba
MEMS Oscillators Enhance Clock Performance in Industrial and Hi-Reliability Applications 演示文稿GydF4y2Ba
How to Measure Clock Jitter in Precision Timing Applications 演示文稿GydF4y2Ba
在精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 演示文稿GydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime新的Field Programmer 演示文稿GydF4y2Ba
Silicon Mems VS石英供应链GydF4y2Ba 演示文稿GydF4y2Ba
利用高温、超坚固的MEMS振荡器提高工业设备的性能GydF4y2Ba White Papers
硅MEMS振荡器为LED照明提供了益处GydF4y2Ba White Papers
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备GydF4y2Ba White Papers
Field Programmable Timing Solutions for Medical Applications White Papers
超健壮的MEMS时序解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性GydF4y2Ba White Papers
MEMS-Based Resonators and Oscillators are Now Replacing Quartz 演示文稿GydF4y2Ba
与MEMS联系：机电接口GydF4y2Ba 演示文稿GydF4y2Ba
Field Programmable Oscillators Datasheet 数据表GydF4y2Ba
SiT1618B产品介绍GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンドシングルエンド器材のの推奨方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10002 Termination Recommendations for Single-ended Oscillator Driving Single or Multiple Loads 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10006 発振器のPCBデザインのガイドライン 申请笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの義と測GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
地点GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
AN10025 SiTime振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブプローブ使使使しししたのの波形波形计测方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10028 Probing Oscillator Output 申请笔记GydF4y2Ba
微机电系统GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
MEMS発振器材と水晶仪器のの比较（耐冲撃と移动）GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
J-AN10033発振の周波数測ガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
SITIMEのMEMS FIRST™プロセス技术GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
stime的MEMS First™和Episeal™流程GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
The top 8 reasons to use an oscillator instead of a crystal resonator White Papers
MEMS Resonator Advantages - How MEMS Resonators Work Part 2 演示文稿GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的长期抖动和周期到循环抖动GydF4y2Ba 演示文稿GydF4y2Ba
Silicon MEMS Oscillator Frequency Characteristics and Measurement Techniques 演示文稿GydF4y2Ba
AN10052 IEEE 1588 Precision Time Protocol (PTP) in ITU-T Standards 申请笔记GydF4y2Ba
南卡罗来纳州GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡频率销量江南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
相位噪声测量教程（Download MP4 Video) 视频GydF4y2Ba
PCI使用相位噪声分析仪表达REFCLK抖动符合性GydF4y2Ba 演示文稿GydF4y2Ba
MEMS时序的优点 - 参数（下载MP4视频）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
硅替换石英（中文字幕）（下载MP4视频）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
硅替换石英（日本字幕）（下载MP4视频）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
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QFN 2520 4针GydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 3225 4-Pins 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 5032 4针GydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 7050 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
SiTime MEMS Timing Solutions (8.5x11) Brochures/Fliers
SITIME MEMS定时解决方案（A4）GydF4y2Ba Brochures/Fliers
SiTime MEMS定时解决方案（A4）中文版GydF4y2Ba Brochures/Fliers
硅替换石英（日本字幕）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
硅取代石英（中文字幕）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime MEMS公司GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba

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