1至110兆赫,宽温AEC-Q100 SOT23振荡器GydF4y2Ba

该SiT2024B是最可靠和最优质的AEC-Q100标准的SOT23汽车和极端温度应用振荡器。该装置提供的宽的频率范围(1兆赫至110兆赫),优异的稳定性(±20ppm)的,和极端温度范围(-55至125℃)的完美结合。它还具有业界最佳为0.1ppb / g的振动灵敏度,万克休克和70g耐振动性。GydF4y2Ba

小SOT23-5封装报价最好板级焊点可靠性和容易,低成本的光学只,焊点的板级检查。GydF4y2Ba

计划振荡器立竿见影的样品,优化的性能和快速原型|GydF4y2Ba学到更多GydF4y2Ba

含铅SOT23封装最佳板级可靠性,检查和制造性GydF4y2Ba
振荡器型GydF4y2Ba XO-SEGydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba 1至110兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba ±20,±25,±50GydF4y2Ba
相位抖动(RMS)GydF4y2Ba 1.3 PSGydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba LVCMOSGydF4y2Ba
工作温度范围(℃)GydF4y2Ba -40到85(3级), - 40〜105(第2级),-40至125(1级),-55至125(分机冷一级)GydF4y2Ba
FlexEdgeGydF4y2BaTM值GydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba 是GydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba 1.8,2.5〜3.3GydF4y2Ba
封装类型(平方毫米)GydF4y2Ba SOT23(2.9x2.8)GydF4y2Ba
特征GydF4y2Ba 现场可编程,高温125℃,AEC-Q100,SOT23-5GydF4y2Ba
可用性GydF4y2Ba 生产GydF4y2Ba

的独特组合GydF4y2Ba

  • ±20ppm的GydF4y2Ba
  • -55至125℃温度范围内GydF4y2Ba
  • SOT23-5封装:GydF4y2Ba
    • 在极端温度范围适用于汽车和高版本的应用最佳的一流的稳定性GydF4y2Ba

为0.1ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低GydF4y2BaGGydF4y2Ba-灵敏度GydF4y2Ba

  • 在恶劣的环境没有性能下降GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和10000GydF4y2BaGGydF4y2Ba休克GydF4y2Ba

  • 坚不可摧GydF4y2Ba

可配置的上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI减少对其他子系统的干扰GydF4y2Ba

SOT23-5封装GydF4y2Ba

  • 最好板级的焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 容易,成本低,焊点的光只,板级检查GydF4y2Ba

超快速的交期(4〜6周)GydF4y2Ba

  • 降低库存开销GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba
  • 发动机和变速器的ECUGydF4y2Ba
  • XTAL更换GydF4y2Ba
  • ADAS电脑GydF4y2Ba
  • 汽车摄像机GydF4y2Ba
  • 信息娱乐系统GydF4y2Ba
  • 发动机和动力总成GydF4y2Ba
  • 国防与航空航天GydF4y2Ba

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文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装组合报告GydF4y2Ba 组成的报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
制造业须知SiTime的振荡器GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的冲突金属声明GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
在日期代码SiTime的保修(16.72 KB)GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015年注册证书GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
冲突矿产报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装鉴定报告 - 嘉盛GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiTime的振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺的产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX,SiT89XX高温产品合格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23封装UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装均质材料和SGS报告 - 嘉盛GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
SiTime的环境合规性声明GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明的证书GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装均质材料和SGS报告 - UTACGydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba

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资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT2024 7.3728MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 8.192MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 8MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 9.8304MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 9.84375MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 LVCMOS为11.0592MHzGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 12.288MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 12MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 13.52127MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 13.225625MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 13MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 14.31818MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 15MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 16.384MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 16MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024的18.432MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 19.6608MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 20MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 22.1184MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 24.56MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 24.576MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 24MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 25MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 26MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 27MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 29.4912MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 30MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 32MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 33MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 36MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 40MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 48MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 50MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 54MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 60MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024中的62.5MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 65MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 66MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 72MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 74.25MHz时LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 74.176MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 74.175824MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 75MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 77.76MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 100MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2024(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2024(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2024(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2024(LVCMOS,3.0 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2024(LVCMOS,3.3 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2024(LVCMOS,2.25到3.63 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能对比:硅MEMS诗篇石英晶体振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器提升时钟性能在工业和Hi-的可靠性应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量时钟抖动精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量精确授时应用相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何获取即时振荡器,SiTime公司的新领域程序员GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS VS石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
提高汽车的可靠性和性能超强劲的MEMS振荡器GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
医疗应用现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
基于MEMS谐振器和振荡器,现在更换石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
取得联系与MEMS:机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SiT2024B数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨终端方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
对于单端振荡器驱动单个或多个负载AN10002端接建议GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定义と测定方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SiTime公司発振器の信頼性计算方法GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
AN10025可靠性计算了SiTime的振荡器GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形计测方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の电磁场感受率の比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比较(耐冲撃と耐振动)GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数测定ガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10033频率振荡器测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
韧性和硅MEMS振荡器的可靠性GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
SiTime的MEMSの首先™プロセス技术GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
SiTime公司的MEMS首先™和EpiSeal™进程GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
顶部8的理由使用的振荡器,而不是一个晶体谐振器的GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优势 - 如何MEMS谐振器工作的一部分2yabo网赌GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何衡量长期抖动和周期到周期抖动精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
SiTime公司的Time Machine II产品简介GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
在ITU-T标准AN10052 IEEE 1588精密时间协议(PTP)GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SiTime的MEMS首先工艺GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
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SiTime的MEMS振荡器和时钟发生器在电子高峰(下载yabo体育手机版MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
SiTime公司的Time Machine II - 第1部分:如何安装振荡器编程软件(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
SiTime公司的Time Machine II - 第2部分:如何计划现场可编程振荡器(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
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SiTime的MEMS定时解决方案(A4)GydF4y2Ba MEMS时序解小册子/传单GydF4y2Ba
SiTime的MEMS定时解决方案(A4)中国GydF4y2Ba MEMS时序解小册子/传单GydF4y2Ba
硅替代对象石英(日文字幕)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
硅替代对象石英(中国字幕)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba