115至137兆赫,宽温AEC-Q100 SOT23振荡器gydF4y2Ba

该SiT2025B是最可靠和最优质的AEC-Q100标准的SOT23汽车和极端温度应用振荡器。此设备提供的高频范围(高达137兆赫),优异的稳定性(±20ppm)的,和极端温度范围(-55至125℃)的完美结合。它还具有业界最佳为0.1ppb / g的振动灵敏度,万克休克和70g耐振动性。gydF4y2Ba

小型SOT23-5封装提供了最好的板级焊点可靠性和简单,低成本,光,板级焊点检查。gydF4y2Ba

程序振荡器,以获得即时样本,优化的性能,和快速原型|gydF4y2Ba学到更多gydF4y2Ba

查看相关产品:gydF4y2Ba1至110兆赫gydF4y2Ba|gydF4y2BaQFN封装gydF4y2Ba|gydF4y2Ba坚固耐用gydF4y2Ba|gydF4y2Ba汽车及高温阵容gydF4y2Ba

含铅SOT23封装最佳板级可靠性,检查和制造性gydF4y2Ba
振荡器型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 115至137兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20,±25,±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 PSgydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba LVCMOSgydF4y2Ba
工作温度范围(℃)gydF4y2Ba -40 - 85(3级)、-40 - 105(2级)、-40 - 125(1级)、-55 - 125 (Ext. Cold 1级)gydF4y2Ba
FlexEdgegydF4y2BaTM值gydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是gydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba 1.8,2.5〜3.3gydF4y2Ba
封装类型(平方毫米)gydF4y2Ba SOT23(2.9x2.8)gydF4y2Ba
特征gydF4y2Ba 现场可编程,高温125℃,AEC-Q100, SOT23-5gydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • 高达137兆赫gydF4y2Ba
  • ±20ppm的gydF4y2Ba
  • 零下55到125摄氏度gydF4y2Ba
    • 在极端温度范围内的最佳稳定性,是汽车和其他高rel应用的理想选择gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba-灵敏度gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境中的性能不会降低gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 坚不可摧gydF4y2Ba

可配置的上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI减少任何干扰子系统gydF4y2Ba

SOT23-5封装gydF4y2Ba

  • 最好板级的焊点可靠性gydF4y2Ba
  • 简单、低成本、光、板级焊点检测gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和变速器的ECUgydF4y2Ba
  • XTAL更换gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像机gydF4y2Ba
  • 信息娱乐系统gydF4y2Ba
  • 发动机和动力系统gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5引脚SOT23封装组合报告gydF4y2Ba 组成的报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
制造业须知SiTime的振荡器gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime的冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime的环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
日期代码的SiTime保证(16.72 kB)gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015年注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5L-SOT23包装检验报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX,SiT89XX高温产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SOT23封装UTAC可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5引脚SOT23封装均质材料和SGS报告 - 嘉盛gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料及SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime的环境合规性声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
欧盟RoHS认证gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5引脚SOT23封装均质材料和SGS报告 - UTACgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT2025 125MHz的LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT2025 133 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT2025(LVCMOS,1.8 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS 2.5 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS 3.0 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT2025(LVCMOS,2.25到3.63 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
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