1至110mhz,宽温振荡器(-55至+125℃)

该SiT8920B是市场上最健壮和可靠的振荡器用0.1 ppb的/克振动灵敏度(G-灵敏度),50000克休克和70g振动阻力和5亿小时MTBF。此外,该器件可提供高频(高达110兆赫)完美的结合,最好的稳定性(±20ppm)的,军用温度范围(-55℃至125℃)和小型封装(2.0×1.6 mmxmm),该不能从石英。

用于在SOT23-5封装相同的设备,指的是SiT2020B

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5个行业标准足迹,最小到2016年为所有频率,电压和稳定性
振荡器类型 XO-SE
频率 1至110兆赫
频率稳定性(PPM) ±20,±25,±50
相位抖动(RMS) 1.3 ps
输出类型 LVCMOS
工作温度范围(℃) -55 + 125
FlexEdgeTM上升/下降时间 是的
电源电压(V) 1.8,2.5〜3.3
²包类型(毫米) 2.0x1.6,2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0
特性 现场可编程,军事温度-55至125℃
可用性 生产

可配置的功能集

  • 准确的6个小数位1和110兆赫之间的任何频率
  • 稳定性低至±20ppm的
  • 工业或扩展的商用温度。
  • 供电电压为1.8 V或2.5 V至3.3 V
  • 定制规范优化系统性能
  • 使用相同的基本设备的许多设计,降低资质需求

低功耗

  • 0.6μA典型待机电流(1.8V)
  • 典型有源电流(1.8 V)
  • 延长便携式应用的电池寿命
  • 降低功耗更环保系统

FlexEdge™可配置驱动强度

  • 从振荡器最小化EMI较慢的上升/下降时间
  • 通过驱动多个负载和消除附加的定时元件节省了成本

超快速的交期(4〜6周)

  • 降低库存开销
  • 缓解短缺风险

  • 石油勘探钻井
  • 功率放大器
  • 工业汽车
  • 压力米
  • 航空航天设备
  • 地热能源设备

缩小到:

文档名称 类型
4L-QFN封装组成的报告(SiT160X,SiT800X,SiT1618,SiT89XX) 成分报告
电子工业公民联盟模板 其他质量文件
SiTime振荡器制造注意事项 其他质量文件
SiTime的冲突金属声明 其他质量文件
SiTime环境政策 其他质量文件
在日期代码SiTime的保修(16.72 KB) 其他质量文件
ISO9001:2015年注册证书 其他质量文件
冲突矿产报告模板 其他质量文件
SiTime的振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺的产品) 可靠性报告
4L-QFN包装检验报告- UTAC 可靠性报告
4L-QFN封装鉴定报告 - ASE 可靠性报告
4L-QFN包装检验报告- Carsem 可靠性报告
SiT16XX,SiT89XX高温产品合格报告 可靠性报告
台积电晶圆SGS报告 符合RoHS / REACH /绿色证书
塔爵士晶圆SGS报告 符合RoHS / REACH /绿色证书
4L/6L-QFN包装均匀材料及SGS报告 符合RoHS / REACH /绿色证书
BOSCH晶圆SGS报告 符合RoHS / REACH /绿色证书
WLCSP封装均质材料和SGS报告 符合RoHS / REACH /绿色证书
SiTime的环境合规性声明 符合RoHS / REACH /绿色证书
符合欧盟RoHS声明的证书 符合RoHS / REACH /绿色证书

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资源名称 类型
SiT8920 65 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 32MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 33MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 36MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 40 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 48MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 50MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 54MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 60MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 62.5 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 66 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 72MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 74.25MHz时LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 74.176MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 74.175824MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 75MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 77.76MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 100MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 7.3728 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 8.192MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 8MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 9.8304MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 9.84375MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 LVCMOS为11.0592MHz 频率专项测试报告
SiT8920 12.288MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 12 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 13.52127MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 13.225625 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 13兆赫LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 14.7456MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 14.31818MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 15MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 16.384MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 16MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920的18.432MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 19.6608MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 20MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 22.1184MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 24.56MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 24.576MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 24 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 25兆赫LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 26 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 27 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 29.4912 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 30 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920(LVCMOS,1.8 V) IBIS模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) IBIS模型
SiT8920(LVCMOS,1.8 V) IBIS模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) IBIS模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.8 V) IBIS模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.0 V) IBIS模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.3 V) IBIS模型
SiT8920(LVCMOS,2.25到3.63 V) IBIS模型
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