1至110 MHz,宽温度振荡器(-55至+125°C)

SIT8920B是市场上最坚固且可靠的振荡器,振动灵敏度0.1 ppb / g灵敏度(g灵敏度),50,000克冲击和70克振动电阻和500万小时的MTBF。此外,该器件提供了高频(最多110 MHz),最佳稳定性(±20ppm),军用温度范围(-55°C至125°C)和小包装(2.0 x 1.6 mmxmm)的完美组合从石英中没有。

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所有频率、电压和稳定性的五个行业标准脚印,小到2016年
振荡器类型 XO-SE.
频率 1 to 110 MHz
频率稳定性(PPM) ±20, ±25, ±50
阶段抖动(RMS) 1.3 PS.
输出类型 lvcmos.
工作温度范围(°C) -55至+125
FlexEdge.TM值上涨/下降时间 是的
Voltage Supply (V) 1.8, 2.5 to 3.3
包类型(mm²) 2.0x1.6,2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0
特征 现场可编程,军用温度-55至125°C
Availability 生产

可配置功能集

  • Any frequency between 1 and 110 MHz with 6 decimal places of accuracy
  • 稳定性低至±20 ppm
  • 工业的or extended commercial temp.
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V电源电压
  • Customize specification for optimal system performance
  • 使用相同的基础设备进行许多设计,降低资格需求

Low power consumption

  • 0.6μA典型的备用电流(1.8 V)
  • 3.5 mA典型的活性电流(1.8 V)
  • Extends battery life in portable applications
  • Reduces power consumption for greener systems

FlexEdge™可配置驱动强度

  • Slower rise/fall time that minimizes EMI from the oscillator
  • 通过驱动多个负载来节省成本并消除额外的定时组件

超快速的交换时间(4至6周)

  • Reduce inventory overhead
  • 缓解短缺风险

  • Oil exploration drilling
  • 功率放大器
  • 工业电机
  • 压力表
  • 航空航天设备
  • 地热能设备

狭窄:

Eval Boards联系Silime.– SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)

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2016年4针|2520 4针|3225 4针|5032 4针|7050 4-Pins– Preview packages with QFN 3D step models

狭窄:

资源名称 类型
SiT8920 65MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT892032MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT892033MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 36MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SiT8920 40MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT892048MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 50MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 54MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT892060MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 62.5MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SiT8920 66MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 72MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 74.25MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT892074.176MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 74.175824MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT892075MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT892077.76MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 100MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 7.3728MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 8.192MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 8MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT89209.8304MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 9.84375MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 11.0592MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 12.288MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SiT8920 12MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT892013.52127MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 13.225625MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 13MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 14.7456MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT892014.31818MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 15MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT892016.384MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 16MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT892018.432MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT892019.6608MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT892020MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 22.1184MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT892024.56MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 24.576MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SiT8920 24MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 25MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 26MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 27MHz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 29.4912MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 30MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920(lvcmos., 1.8 V) IBIS Models
SIT8920(LVCMOS,2.5 V) IBIS Models
SIT8920(lvcmos., 1.8 V) IBIS Models
SIT8920(LVCMOS,2.5 V) IBIS Models
SiT8920(LVCMOS,2.8 V) IBIS Models
SIT8920(LVCMOS,3.0 V) IBIS Models
SiT8920(LVCMOS,3.3 V) IBIS Models
SIT8920(lvcmos., 2.25 to 3.63 V) IBIS Models
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