1至110兆赫，宽温AEC-Q100振荡器（-55至+ 125℃）gydF4y2Ba
该SiT8924B是最可靠的，用于汽车和极端温度应用的最高质量的AEC-Q100标准的振荡器。该器件提供的最宽的频率范围内的在最小2.0x1完美的结合（1兆赫至110兆赫），优异的稳定性（如低至±20ppm）的和最宽的温度范围内（-55℃至125℃）。6毫米包是不容易从石英。此外，它还采用了业界最佳的抗冲击和振动。gydF4y2Ba
该SiT8924是在五个行业标准的封装，因此取代石英产品无任何设计变更。gydF4y2Ba
程序振荡器，以获得即时样本，优化的性能，和快速原型|gydF4y2Ba学到更多gydF4y2Ba
| 振荡器型gydF4y2Ba | XO-SEgydF4y2Ba |
| 频率gydF4y2Ba | 1至110兆赫gydF4y2Ba |
| 频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba | ±20，±25，±30，±50gydF4y2Ba |
| 相位抖动(rms)gydF4y2Ba | 1.3 PSgydF4y2Ba |
| 输出类型gydF4y2Ba | LVCMOSgydF4y2Ba |
| 工作温度范围(℃)gydF4y2Ba | -40到+85 -40到+105 -40到+125 -55到+125gydF4y2Ba |
| FlexEdgegydF4y2BaTM值gydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba | 是gydF4y2Ba |
| 电源电压（V）gydF4y2Ba | 1.8，2.5〜3.3gydF4y2Ba |
| 封装类型（平方毫米）gydF4y2Ba | 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0gydF4y2Ba |
| 特征gydF4y2Ba | 现场可编程，高温125℃，AEC-Q100gydF4y2Ba |
| 可用性gydF4y2Ba | 生产gydF4y2Ba |
5个行业标准足迹，最小到2016年为所有频率，电压和稳定性gydF4y2Ba
SiT8924引脚分配gydF4y2Ba
SiT8924框图gydF4y2Ba
独一无二的结合gydF4y2Ba
- 频率稳定性±20ppmgydF4y2Ba
- 在-55至+ 125°C汽车级和军用温度。范围gydF4y2Ba
- 在2.0×1.6 mm的封装：gydF4y2Ba
- 用于汽车和/或空间受限的操作环境最好的时序余量gydF4y2Ba
为0.1ppb /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba-灵敏度gydF4y2Ba
- 在高振动条件下具有最佳的鲁棒性gydF4y2Ba
70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba
- 在恶劣环境下最佳的系统可靠性gydF4y2Ba
配置的驱动力和上升/下降时间gydF4y2Ba
- 优化EMI减少对其他子系统的干扰gydF4y2Ba
5个行业标准包gydF4y2Ba
- 100％简易替代石英的XOgydF4y2Ba
超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba
- 降低库存开销gydF4y2Ba
- 缓解短缺风险gydF4y2Ba
- 信息娱乐系统gydF4y2Ba
- ADAS电脑gydF4y2Ba
- 相机gydF4y2Ba
- 雷达和激光雷达gydF4y2Ba
- 汽车以太网gydF4y2Ba
- 动力总成gydF4y2Ba
- 黑盒gydF4y2Ba
- 汽车XTAL更换gydF4y2Ba
- 国防与航空航天gydF4y2Ba
- 无线充电器gydF4y2Ba
- SiT8924 7.3728MHz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 12.288MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 12MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 13.52127MHz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 13.225625MHz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 15MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924的18.432MHz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 20MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 25MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 26MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 33MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 40MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 60MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 72MHz的LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 74.25MHz时LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
| 文档名称gydF4y2Ba | 类型gydF4y2Ba |
|---|---|
| 4L-QFN封装组成的报告（SiT160X，SiT800X，SiT1618，SiT89XX）gydF4y2Ba | 组成的报告gydF4y2Ba |
| 电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| 制造业须知SiTime的振荡器gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime的冲突金属声明gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime的环境政策gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| 日期代码的SiTime保证(16.72 kB)gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| ISO9001：2015年注册证书gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| 冲突矿物报告模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN封装鉴定报告 - UTACgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装检验报告- ASEgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装检验报告- CarsemgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| SiT16XX，SiT89XX高温产品合格报告gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 4L/6L-QFN包装均匀材料及SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| BOSCH晶圆SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| WLCSP包装均匀材料及SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| SiTime的环境合规性声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 欧盟RoHS认证gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |