115至137 MHz,宽温度AEC-Q100振荡器(-55至+125℃)GydF4y2Ba

SiT8925B是最可靠和最高质量的AEC-Q100振荡器,适用于高频汽车和其他极端温度应用。该设备提供了高频率(高达137mhz)、优异的稳定性(±20ppm)和最宽的温度范围(-55℃至+125℃)的完美组合,采用最小的2.0x1.6 mm封装,这是quartz所没有的。该装置还具有业界最好的抗冲击和抗振动性能。GydF4y2Ba

该SiT8925有五个行业标准的包,因此取代石英产品没有任何设计变化。GydF4y2Ba

计划振荡器立竿见影的样品,优化的性能和快速原型|GydF4y2Ba了解更多GydF4y2Ba

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五组行业标准的足迹小2016的所有频率,电压和稳定性GydF4y2Ba
振荡器类型GydF4y2Ba XO-SEGydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba 115至137 MHz的GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba 20、25、30、50GydF4y2Ba
相位抖动(RMS)GydF4y2Ba 1.3 psGydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba LVCMOSGydF4y2Ba
工作温度范围(℃)GydF4y2Ba -40〜+ 85,-40〜+ 105,-40〜+ 125,-55至+125GydF4y2Ba
FlexEdgeGydF4y2BaTMGydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba 是的GydF4y2Ba
供电电压(V)GydF4y2Ba 1.8 2.5到3.3GydF4y2Ba
²包类型(毫米)GydF4y2Ba 2.0x1.6,2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0GydF4y2Ba
特性GydF4y2Ba 现场可编程,高温125℃,AEC-Q100GydF4y2Ba
可用性GydF4y2Ba 生产GydF4y2Ba

的独特组合GydF4y2Ba

  • ±20ppm的频率稳定GydF4y2Ba
  • 超过-55到+125℃的汽车温度范围GydF4y2Ba
  • 2.0×1.6毫米套装:GydF4y2Ba
    • 汽车和/或空间受限的操作环境的最佳定时裕度GydF4y2Ba

为0.1ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低GydF4y2BaGGydF4y2Ba灵敏GydF4y2Ba

  • 高振动条件下的鲁棒性最好的GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和10000GydF4y2BaGGydF4y2Ba休克GydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下的最佳系统可靠性GydF4y2Ba

可配置驱动强度和上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化电磁干扰,减少对其他子系统的干扰GydF4y2Ba

5业界标准封装GydF4y2Ba

  • 100%替代石英XOGydF4y2Ba

超快速的交期(4〜6周)GydF4y2Ba

  • 降低库存开销GydF4y2Ba

  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba

  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • ADAS电脑GydF4y2Ba
  • 相机GydF4y2Ba
  • 雷达和激光雷达GydF4y2Ba
  • 汽车以太网GydF4y2Ba
  • 动力系统GydF4y2Ba
  • 黑盒子GydF4y2Ba
  • 国防与航空航天GydF4y2Ba
  • 汽车晶体替代GydF4y2Ba
  • 无线充电器GydF4y2Ba

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文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN包组成报告(SiT160X、SiT800X、SiT1618、SiT89XX)GydF4y2Ba 成分报告GydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime振荡器制造注意事项GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
在日期代码SiTime的保修(16.72 KB)GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
冲突矿产报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺的产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN包装检验报告- UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - 嘉盛GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX、SiT89XX高温产品合格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电圆片SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
塔爵士威化SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
SiTime环境遵从性声明GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明的证书GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba

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资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT8925 125MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT8925 133MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 1.8 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT8925(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT8925(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.25到3.63 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS和石英振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高了时钟性能GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何在精密计时应用中测量时钟抖动GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
在精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何得到即时振荡器与SiTime的新领域程序员GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS与石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
提高汽车的可靠性和性能超强劲的MEMS振荡器GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
现场可编程定时解决方案的医疗应用GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
基于ems的谐振器和振荡器正在取代石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
与MEMS的接触:机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SiT8925B数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
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SiTime振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
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MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比较(耐冲撃と耐振动)GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
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SiTime的MEMSの首先™プロセス技术GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
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使用振荡器而不是晶体谐振器的8大理由GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器优点- MEMS谐振器如何工作第2部分yabo网赌GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
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PCI Express的REFCLK抖动标准采用相位噪声分析仪GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
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SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
QFN 2016 4针GydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsGydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
QFN 3225 4-PinsGydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsGydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsGydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
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