115至137兆赫,宽温AEC-Q100振荡器(-55至+ 125℃)gydF4y2Ba

该SiT8925B是最可靠和高频汽车和其他极端温度应用最优质的AEC-Q100振荡器。此设备提供了高频率的最小2.0x1.6毫米包是不完美的结合(高达137兆赫),优异的稳定性(±20ppm)的和最宽的温度范围内(-55℃至125℃)可容易地从石英。该器件还具有业界最佳的抗冲击和振动。gydF4y2Ba

该SiT8925有五种工业标准封装,因此取代石英产品无任何设计变更。gydF4y2Ba

程序振荡器,以获得即时样本,优化的性能,和快速原型|gydF4y2Ba学到更多gydF4y2Ba

五组行业标准的足迹小2016的所有频率,电压和稳定性gydF4y2Ba
振荡器型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 115至137兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20,±25,±30,±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 PSgydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba LVCMOSgydF4y2Ba
工作温度范围(℃)gydF4y2Ba -40到+85 -40到+105 -40到+125 -55到+125gydF4y2Ba
FlexEdgegydF4y2BaTM值gydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是gydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba 1.8,2.5〜3.3gydF4y2Ba
封装类型(平方毫米)gydF4y2Ba 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0gydF4y2Ba
特征gydF4y2Ba 现场可编程,高温125℃,AEC-Q100gydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • 频率稳定性±20ppmgydF4y2Ba
  • 在-55到+ 125°C汽车温度。范围gydF4y2Ba
  • 在2.0×1.6 mm的封装:gydF4y2Ba
    • 用于汽车和/或空间受限的操作环境最好的时序余量gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba-灵敏度gydF4y2Ba

  • 在高振动条件下具有最佳的鲁棒性gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下最佳的系统可靠性gydF4y2Ba

配置的驱动力和上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI减少对其他子系统的干扰gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%简易替代石英的XOgydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba

  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 信息娱乐系统gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 相机gydF4y2Ba
  • 雷达和激光雷达gydF4y2Ba
  • 汽车以太网gydF4y2Ba
  • 动力总成gydF4y2Ba
  • 黑盒gydF4y2Ba
  • 国防与航空航天gydF4y2Ba
  • 汽车XTAL更换gydF4y2Ba
  • 无线充电器gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN封装组成的报告(SiT160X,SiT800X,SiT1618,SiT89XX)gydF4y2Ba 组成的报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
制造业须知SiTime的振荡器gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime的冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime的环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
日期代码的SiTime保证(16.72 kB)gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015年注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装检验报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - 嘉盛gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX,SiT89XX高温产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料及SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime的环境合规性声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
欧盟RoHS认证gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8925 125MHz的LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT8925 133 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT8925(LVCMOS,1.8 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT8925(LVCMOS,2.25到3.63 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
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QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
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QFN 3225 4针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
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QFN 7050 4针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
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