SiT2018GydF4y2Ba

数据表GydF4y2Ba
部分数量发电GydF4y2Ba 型号解码器GydF4y2Ba 库存搜索GydF4y2Ba

1至110mhz，高温(-40至+125℃)SOT23振荡器GydF4y2Ba

SiT2018B振荡器采用SOT23封装，具有最佳的板级焊点可靠性和低成本、仅限光学性能GydF4y2Ba板级GydF4y2Ba检查。该设备具有宽频率范围，GydF4y2Ba出色的稳定性GydF4y2Ba和最短的交货时间GydF4y2Ba工业，医疗，汽车，航空电子设备，以及其它高温应用GydF4y2Ba。GydF4y2Ba该设备具有业内最好的0.1 ppb/g的振动灵敏度，50000 g的冲击和70 g的抗振性。GydF4y2BaOARD级检查。该器件具有最宽的频率范围内，最低功耗，最佳的稳定性和最短的交货时间消费，网络，工业和其他应用程序。GydF4y2Ba

对于SMD包中的相同设备，请参阅GydF4y2BaSiT8918BGydF4y2Ba振荡器。GydF4y2Ba

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含铅SOT23封装最佳板级可靠性，检查和制造性GydF4y2Ba
振荡器类型GydF4y2Ba XO-SEGydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba 1至110兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性（PPM）GydF4y2Ba ±20，±25，±50GydF4y2Ba
相位抖动（RMS）GydF4y2Ba 1.3 psGydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba LVCMOSGydF4y2Ba
工作温度范围（℃）GydF4y2Ba -40至+105，-40至+125GydF4y2Ba
FlexEdgeGydF4y2BaTMGydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba 是的GydF4y2Ba
电源电压（V）GydF4y2Ba 1.8，2.5〜3.3GydF4y2Ba
²包类型(毫米)GydF4y2Ba SOT23（2.9x2.8）GydF4y2Ba
特性GydF4y2Ba 现场可编程，高温125℃，SOT23-5GydF4y2Ba
可用性GydF4y2Ba 生产GydF4y2Ba
  • 含铅SOT23封装最佳板级可靠性，检查和制造性GydF4y2Ba
    放大GydF4y2Ba

    含铅SOT23封装最佳板级可靠性，检查和制造性GydF4y2Ba

±20 ppm，在汽车温度。（-40至125℃）GydF4y2Ba

  • 更好的时序余量非常适合户外和高温度。操作环境GydF4y2Ba

可配置的功能集GydF4y2Ba

  • 1之间的任何频率 - 110 MHz的精度6位小数GydF4y2Ba
  • 供电电压为1.8 V或2.5 V至3.3 VGydF4y2Ba
  • 定制规范优化系统性能GydF4y2Ba
  • 在多种设计中使用相同的基础设备，减少了合格要求GydF4y2Ba

为0.1ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低g-sensitivityGydF4y2Ba

  • 改善系统在振动下的性能GydF4y2Ba
  • 载体落试验顺应性（STB等）;GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50000GydF4y2BaGGydF4y2Ba休克GydF4y2Ba

  • 在恶劣的环境最好的系统可靠性;GydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI减少对其他子系统的干扰;GydF4y2Ba

SOT23-5封装GydF4y2Ba

  • 最好板级的焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 容易，成本低，焊点的光只，板级检查;GydF4y2Ba

超快速的交期（4〜6周）GydF4y2Ba

  • 降低库存开销GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ecuGydF4y2Ba
  • XTAL更换GydF4y2Ba
  • ADAS电脑GydF4y2Ba
  • 汽车摄像头GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 精密GNSSGydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块GydF4y2Ba
  • 电力和能源GydF4y2Ba
  • 铁路GydF4y2Ba

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文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装组合报告GydF4y2Ba 成分报告GydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime振荡器制造注意事项GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的冲突金属声明GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
在日期代码SiTime的保修（16.72 KB）GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
ISO9001：2015年注册证书GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
冲突矿产报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装鉴定报告 - 嘉盛GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiTime的振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺的产品）GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX，SiT89XX高温产品合格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23封装UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装均质材料和SGS报告 - 嘉盛GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
SiTime的环境合规性声明GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明的证书GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装均质材料和SGS报告 - UTACGydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba

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资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT2018 7.3728MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 8.192MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 8 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 9.8304MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 9.84375MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 LVCMOS为11.0592MHzGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 12.288MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 12MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 13.52127 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 13.225625 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 14.7456 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 14.31818MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 15MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 16.384MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018的18.432MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 19.6608 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 20 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 22.1184 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 24.56MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 24.576 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 24 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 25MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 26 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 27MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 29.4912MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 32MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 33 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 36MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 40 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 48MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 50MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 54 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 62.5 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 65 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 72 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 74.25MHz时LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 74.176MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 75MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 77.76MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 100MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2018（LVCMOS，1.8 V）GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2018（LVCMOS，2.5 V）GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2018（LVCMOS，2.8 V）GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 3.0 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2018（LVCMOS，3.3 V）GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2018(2.25至3.63 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS和石英振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器提升时钟性能在工业和Hi-的可靠性应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量时钟抖动精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
在精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何获取即时振荡器，SiTime公司的新领域程序员GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
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基于MEMS谐振器和振荡器，现在更换石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
取得联系与MEMS：机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
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