1至110兆赫,宽温度(-55至+ 125℃)SOT23振荡器GydF4y2Ba

SiT2020B振荡器采用SOT23封装,具有最佳的板级焊点可靠性和低成本,仅用于光学GydF4y2Ba董事会层面GydF4y2Ba检查。该器件具有很宽的频率范围内,GydF4y2Ba出色的稳定性GydF4y2Ba和最短的交货时间GydF4y2Ba工业,医疗,汽车,航空电子设备,以及其它高温应用GydF4y2Ba。GydF4y2Ba该器件还具有业界最好为0.1ppb / g的振动灵敏度,50000克休克和70g耐振动性。GydF4y2Ba

对于SMD封装相同的设备,请参阅GydF4y2BaSIT8920B.GydF4y2Ba时钟振荡器。GydF4y2Ba

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带领SOT23包装,以便最佳板级可靠性,检查和可制造性GydF4y2Ba
振荡器型GydF4y2Ba XO-SEGydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba 1至110兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba ±20±25±50GydF4y2Ba
相位抖动(RMS)GydF4y2Ba 1.3 PSGydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba LVCMOSGydF4y2Ba
工作温度范围(℃)GydF4y2Ba -55至+125GydF4y2Ba
FlexEdgeGydF4y2BaTM值GydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba 是GydF4y2Ba
供电电压(V)GydF4y2Ba 1.8 2.5到3.3GydF4y2Ba
封装类型(平方毫米)GydF4y2Ba SOT23(2.9x2.8)GydF4y2Ba
特征GydF4y2Ba 现场可编程,军事温度-55至125℃,SOT23-5GydF4y2Ba
可用性GydF4y2Ba 生产GydF4y2Ba

的独特组合GydF4y2Ba

  • ±20ppm的GydF4y2Ba
  • -55℃至125℃工作温度范围GydF4y2Ba
  • 小SOT23-5封装:GydF4y2Ba
    • 在极端温度范围内的最佳户外稳定性;GydF4y2Ba

为0.1ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低GydF4y2BaGGydF4y2Ba-灵敏度GydF4y2Ba

  • 在恶劣的环境没有性能下降;GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动50000GydF4y2BaGGydF4y2Ba休克GydF4y2Ba

  • 不可毁灭的;GydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰;GydF4y2Ba

SOT23-5包GydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 简单、低成本、光化、板级焊点检测;GydF4y2Ba

超快速的交期(4〜6周)GydF4y2Ba

  • 降低库存开销GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba

  • 石油勘探钻井GydF4y2Ba
  • 功率放大器GydF4y2Ba
  • 工业电机GydF4y2Ba
  • 压力仪表GydF4y2Ba
  • 航空航天设备GydF4y2Ba
  • 雷达GydF4y2Ba
  • 航空电子设备GydF4y2Ba

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文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5L-SOT23包组成报告GydF4y2Ba 组成的报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
制造业须知SiTime的振荡器GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
在日期代码SiTime的保修(16.72 KB)GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
冲突矿产报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装鉴定报告 - 嘉盛GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiTime的振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺的产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX、SiT89XX高温产品合格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23封装UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电圆片SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
塔爵士威化SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
5 - sot23包装均质材料和SGS报告- CarsemGydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
SiTime环境遵从性声明GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明的证书GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
5 - sot23包装均质材料和SGS报告- UTACGydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba

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资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT2020 7.3728MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 8.192MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 8MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 9.8304MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 LVCMOS为11.0592MHzGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 12.288MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 12MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 13.52127MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 13.225625 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 13MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 14.31818MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 15MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 16.384MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 16MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020的18.432MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 19.6608MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 20MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 22.1184MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 24.56 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 24.576MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 24MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 25兆赫LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 26MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 27MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 29.4912MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 30MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 32 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 33MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 36 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 40MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 48MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 50 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 54MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 60MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020中的62.5MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 66MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 72MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 74.25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 74.176MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 74.175824MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 75MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 77.76MHz LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 100MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 特定频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2020(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2020(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2020(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2020(LVCMOS,2.25到3.63 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2020(LVCMOS,3.3 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能对比:硅MEMS诗篇石英晶体振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高了时钟性能GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何在精密计时应用中测量时钟抖动GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量精确授时应用相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何得到即时振荡器与SiTime的新领域程序员GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS VS石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器提供用于LED照明的优势GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS计时解决方案提高触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
现场可编程定时解决方案的医疗应用GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超强劲的MEMS定时解决方案提高电表应用的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
基于ems的谐振器和振荡器正在取代石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
与MEMS联系:机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SIT2020B数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨终端方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10002终止建议单端振荡器驱动单或多负载GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定义と测定方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SiTime公司発振器の信頼性计算方法GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
AN10025可靠性计算了SiTime的振荡器GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形计测方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の电磁场感受率の比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比较(耐冲撃と耐振动)GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数测定ガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
韧性和硅MEMS振荡器的可靠性GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
SiTime的MEMSの首先™プロセス技术GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
SiTime公司的MEMS首先™和EpiSeal™进程GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大理由GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器优点- MEMS谐振器如何工作第2部分yabo网赌GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的长期抖动和周期到循环抖动GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性与测量技术GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
SiTime Time Machine II产品简介GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
ITU-T标准中的精度时间协议(PTP)GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
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AN10062振荡器相位噪声测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
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