1至110兆赫,高温振荡器(-40〜+ 125℃)GydF4y2Ba

所述SiT8918B提供的在最小的2.0x1.6 mmxmm包宽的频率范围(1兆赫至110兆赫),优异的稳定性(±20ppm)的和宽温度范围(-40至125℃)的完美结合是不容易从石英。该器件还具有业界最佳的抗冲击和振动。GydF4y2Ba

该SiT8918进来工业标准封装和脚印,因此取代石英没有任何设计变更。GydF4y2Ba

计划振荡器立竿见影的样品,优化的性能和快速原型|GydF4y2Ba学到更多GydF4y2Ba

查看相关产品:GydF4y2Ba115至137 MHz的GydF4y2Ba|GydF4y2BaSOT23-5封装GydF4y2Ba|GydF4y2Ba-55到+ 125°CGydF4y2Ba|GydF4y2Ba汽车及高温阵容GydF4y2Ba

五组行业标准的足迹小2016的所有频率,电压和稳定性GydF4y2Ba
振荡器型GydF4y2Ba XO-SEGydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba 1至110兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba ±20,±25,±50GydF4y2Ba
相位抖动(RMS)GydF4y2Ba 1.3 PSGydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba LVCMOSGydF4y2Ba
工作温度范围(℃)GydF4y2Ba -40至+105,-40至+125GydF4y2Ba
FlexEdgeGydF4y2BaTM值GydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba 是GydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba 1.8,2.5〜3.3GydF4y2Ba
封装类型(平方毫米)GydF4y2Ba 2.0x1.6,2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0GydF4y2Ba
特征GydF4y2Ba 现场可编程,高温125℃下GydF4y2Ba
可用性GydF4y2Ba 生产GydF4y2Ba

的独特组合GydF4y2Ba

  • ±20ppm的GydF4y2Ba
  • 汽车温度。(-40至125℃)GydF4y2Ba
  • 最小的封装(2.0×1.6 mmxmm):GydF4y2Ba
    • 更好的时序裕度的理想空间受限,室外和高温度。操作环境GydF4y2Ba

为0.1ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低振动灵敏度GydF4y2Ba

  • 在振动下提高系统性能GydF4y2Ba
  • 更简单的载体落试验顺应性(STB等)GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动50000GydF4y2BaGGydF4y2Ba休克GydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下最佳的系统可靠性GydF4y2Ba

FlexEdge™驱动力GydF4y2Ba

  • 从振荡器最小化EMI较慢的上升/下降时间GydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载降低成本和消除附加的定时元件GydF4y2Ba

5业界标准封装GydF4y2Ba

  • 100%简易替代石英的XOGydF4y2Ba

超快速的交期(4〜6周)GydF4y2Ba

  • 降低库存开销GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba

  • 发动机和变速器的ECUGydF4y2Ba
  • XTAL更换GydF4y2Ba
  • ADAS电脑GydF4y2Ba
  • 汽车摄像机GydF4y2Ba
  • 信息娱乐系统GydF4y2Ba
  • 精密GNSSGydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块GydF4y2Ba
  • 电力和能源GydF4y2Ba

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文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN封装组成的报告(SiT160X,SiT800X,SiT1618,SiT89XX)GydF4y2Ba 组成的报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
制造业须知SiTime的振荡器GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的冲突金属声明GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
在日期代码SiTime的保修(16.72 KB)GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015年注册证书GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
冲突矿产报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺的产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - 嘉盛GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX,SiT89XX高温产品合格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
SiTime的环境合规性声明GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明的证书GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba

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资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT8918 19.6608MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 24MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 7.3728MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 8.192MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 8MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 9.8304MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 9.84375MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 LVCMOS为11.0592MHzGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 12.288MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 12MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 13.52127MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 13.225625MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 13MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 14.31818MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 15MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 16.384MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 16MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918的18.432MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 20MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 22.1184MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 24.56MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 25MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 26MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 27MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 29.4912MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 30MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 32MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 33MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 36MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 40MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 48MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 50MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 54MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 60MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918中的62.5MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 65MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 66MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 72MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 74.25MHz时LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 74.176MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 74.175824MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 75MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 77.76MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 100MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,3.0 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,3.3 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,2.25到3.63 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能对比:硅MEMS诗篇石英晶体振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器提升时钟性能在工业和Hi-的可靠性应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
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如何测量精确授时应用相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何获取即时振荡器,SiTime公司的新领域程序员GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
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加强工业设备的性能与高温,超坚固的MEMS振荡器GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
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MEMS振荡器提高在电机控制应用中的可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
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