1至110mhz,高温振荡器(-40至+125℃)GydF4y2Ba

SiT8918B提供了一个完美的组合,在最小的2.0x1.6 mmxmm封装(石英不容易提供的)宽频率范围(1 MHz到110 MHz),优异的稳定性(±20 ppm)和宽温度范围(-40到125℃)。该装置还具有业界最好的抗冲击和抗振动性能。GydF4y2Ba

该SiT8918进来工业标准封装和脚印,因此取代石英没有任何设计变更。GydF4y2Ba

用于在SOT23-5封装相同的设备,指的是GydF4y2BaSiT2018BGydF4y2Ba。GydF4y2Ba

计划振荡器立竿见影的样品,优化的性能和快速原型|GydF4y2Ba了解更多GydF4y2Ba

五组行业标准的足迹小2016的所有频率,电压和稳定性GydF4y2Ba
振荡器类型GydF4y2Ba XO-SEGydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba 1至110兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba ±20,±25,±50GydF4y2Ba
相位抖动(RMS)GydF4y2Ba 1.3 psGydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba LVCMOSGydF4y2Ba
工作温度范围(℃)GydF4y2Ba -40至+105,-40至+125GydF4y2Ba
FlexEdgeGydF4y2BaTMGydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba 是的GydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba 1.8,2.5〜3.3GydF4y2Ba
²包类型(毫米)GydF4y2Ba 2.0x1.6,2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0GydF4y2Ba
特性GydF4y2Ba 现场可编程,高温125℃下GydF4y2Ba
可用性GydF4y2Ba 生产GydF4y2Ba

的独特组合GydF4y2Ba

  • ±20ppm的GydF4y2Ba
  • 汽车温度(-40 - 125℃)GydF4y2Ba
  • 最小的封装(2.0×1.6 mmxmm):GydF4y2Ba
    • 更好的定时裕度,适用于空间受限、室外和高温环境。操作环境GydF4y2Ba

为0.1ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低振动灵敏度GydF4y2Ba

  • 改善系统在振动下的性能GydF4y2Ba
  • 更简单的载体落试验顺应性(STB等)GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50000GydF4y2BaGGydF4y2Ba休克GydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下的最佳系统可靠性GydF4y2Ba

FlexEdge™驱动力GydF4y2Ba

  • 从振荡器最小化EMI较慢的上升/下降时间GydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载降低成本和消除附加的定时元件GydF4y2Ba

5业界标准封装GydF4y2Ba

  • 100%简易替代石英的XOGydF4y2Ba

超快速的交期(4〜6周)GydF4y2Ba

  • 降低库存开销GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ecuGydF4y2Ba
  • XTAL更换GydF4y2Ba
  • ADAS电脑GydF4y2Ba
  • 汽车摄像头GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 精密GNSSGydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块GydF4y2Ba
  • 电力和能源GydF4y2Ba

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文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN封装组成的报告(SiT160X,SiT800X,SiT1618,SiT89XX)GydF4y2Ba 成分报告GydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime振荡器制造注意事项GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的冲突金属声明GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
在日期代码SiTime的保修(16.72 KB)GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015年注册证书GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
冲突矿产报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺的产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN包装检验报告- UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - 嘉盛GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX,SiT89XX高温产品合格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
SiTime的环境合规性声明GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明的证书GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba

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资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT8918 19.6608 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 24MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 7.3728 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 8.192MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 8MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 9.8304 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 9.84375 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 LVCMOS为11.0592MHzGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 12.288MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 12MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 13.52127 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 13.225625MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 13兆赫LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 14.31818MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 15MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 16.384 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 16MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918的18.432MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 20MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 22.1184MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 24.56 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 25MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 26MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 27MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 29.4912MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 30MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 32MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 33MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 36MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 40MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 48MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 50 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 54 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 60MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918中的62.5MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 65 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 66 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 72MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 74.25MHz时LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 74.176MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 74.175824MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 75MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 77.76MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 100MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 2.5 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,3.0 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,3.3 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,2.25到3.63 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS和石英振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器提升时钟性能在工业和Hi-的可靠性应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量时钟抖动精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
在精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何获取即时振荡器,SiTime公司的新领域程序员GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS与石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
使用高温、超稳健的MEMS振荡器提高工业设备的性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器提供用于LED照明的优势GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS计时解决方案提高触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
医疗应用现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超健壮的MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器提高在电机控制应用中的可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
基于MEMS谐振器和振荡器,现在更换石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
取得联系与MEMS:机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SiT8918B数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨终端方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
对于单端振荡器驱动单个或多个负载AN10002端接建议GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形计测方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比较(耐冲撃と耐振动)GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10033频率振荡器测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTime的MEMSの首先™プロセス技术GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTime公司的MEMS首先™和EpiSeal™进程GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
顶部8的理由使用的振荡器,而不是一个晶体谐振器的GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优势 - 如何MEMS谐振器工作的一部分2yabo网赌GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何衡量长期抖动和周期到周期抖动精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
SiTime公司的Time Machine II产品简介GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10062相位噪声测量指南振荡器GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
相位噪声测量教程(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
PCI Express的REFCLK抖动标准采用相位噪声分析仪GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS计时的优势 - 参数(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
硅替代对象石英(中国字幕)(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
硅替代对象石英(日文字幕)(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革命性的计时市场(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
SiTime的MEMS振荡器和时钟发生器在电子高峰(下载yabo体育手机版MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
SiTime的Time Machine II -第1部分:如何安装振荡器编程软件(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
SiTime公司的Time Machine II - 第2部分:如何计划现场可编程振荡器(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
QFN 2016 4针GydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsGydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
QFN 3225 4针GydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsGydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
QFN 7050 4针GydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
SiTime MEMS计时解决方案(8.5x11)GydF4y2Ba MEMS计时解决方案手册/传单GydF4y2Ba
SiTime的MEMS定时解决方案(A4)GydF4y2Ba MEMS计时解决方案手册/传单GydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(A4)中文GydF4y2Ba MEMS计时解决方案手册/传单GydF4y2Ba
工业定时解决方案GydF4y2Ba MEMS计时解决方案手册/传单GydF4y2Ba
硅替代对象石英(日文字幕)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
硅替代对象石英(中国字幕)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba