1至110mhz,宽温振荡器(-55至+125℃)

SiT8920B是市场上最坚固可靠的振荡器,具有0.1 ppb/g的振动灵敏度(g-sensitivity), 50,000 g的冲击和70g的抗振能力,5亿小时MTBF。此外,该设备提供了高频率(高达110mhz)、最佳稳定性(±20ppm)、军用温度范围(-55℃至125℃)和小封装(2.0 x 1.6 mmxmm)的完美组合,这是quartz无法提供的。

用于在SOT23-5封装相同的设备,指的是SiT2020B

程序振荡器,以获得即时样本,优化的性能,和快速原型|学到更多

5个行业标准足迹,最小到2016年为所有频率,电压和稳定性
振荡器型 XO-SE
频率 1至110兆赫
频率稳定度(ppm) ±20,±25,±50
相位抖动(rms) 1.3 PS
输出类型 LVCMOS
工作温度范围(℃) -55至+125
FlexEdgeTM值上升/下降时间
电源电压(V) 1.8,2.5〜3.3
封装类型(平方毫米) 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0
特征 现场可编程,军用温度-55到125摄氏度
可用性 生产

可配置的特性集

  • 准确的6个小数位1和110兆赫之间的任何频率
  • 稳定性低至±20ppm
  • 工业或扩展的商用温度。
  • 1.8或2.5V至3.3V的电源电压
  • 定制规范优化系统性能
  • 在许多设计中使用相同的基础设备,减少了合格要求

低功耗

  • 典型待机电流(1.8 V)
  • 3.5毫安典型有功电流(1.8V)
  • 延长便携式应用的电池寿命
  • 降低功耗更环保系统

FlexEdge™配置的驱动力

  • 从振荡器最小化EMI较慢的上升/下降时间
  • 通过驱动多个负载和消除额外的定时组件节省成本

超快交货时间(4 - 6周)

  • 降低库存开销
  • 缓解短缺风险

  • 石油勘探钻井
  • 功率放大器
  • 工业电机
  • 压力仪表
  • 航空航天设备
  • 地热能源设备

狭窄:

文档名称 类型
4L-QFN封装组成的报告(SiT160X,SiT800X,SiT1618,SiT89XX) 组成的报告
电子行业公民联盟模板 其他质量文件
制造业须知SiTime的振荡器 其他质量文件
SiTime的冲突金属声明 其他质量文件
SiTime的环境政策 其他质量文件
日期代码的SiTime保证(16.72 kB) 其他质量文件
ISO9001:2015年注册证书 其他质量文件
冲突矿物报告模板 其他质量文件
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品) 可靠性报告
4L-QFN封装鉴定报告 - UTAC 可靠性报告
4L-QFN包装检验报告- ASE 可靠性报告
4L-QFN包装检验报告- Carsem 可靠性报告
SiT16XX,SiT89XX高温产品合格报告 可靠性报告
台积电晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
塔爵士晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
4L/6L-QFN包装均匀材料及SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
BOSCH晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
WLCSP包装均匀材料及SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
SiTime的环境合规性声明 RoHS /实现/绿色证书
欧盟RoHS认证 RoHS /实现/绿色证书

狭窄:

资源名称 类型
SiT8920 65 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 32MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 33MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 36 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 40 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 48MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 50 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 54 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 60MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920中的62.5MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 66 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 72 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 74.25 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 74.176MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 74.175824 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 75MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 77.76MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 100 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 7.3728MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 8.192 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 8 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 9.8304MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 9.84375 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 11.0592 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 12.288 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 12 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 13.52127MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 13.225625MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 13兆赫LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 14.7456 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 14.31818MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 15 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 16.384MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 16兆赫LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920的18.432MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 19.6608MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 20MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 22.1184 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 24.56MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 24.576 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 24 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 25兆赫LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 26 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 27 mhz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 29.4912MHz LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920 30MHz的LVCMOS 频率专项测试报告
SiT8920(LVCMOS,1.8 V) IBIS模型
SiT8920(LVCMOS,2.5 V) IBIS模型
SiT8920(LVCMOS,1.8 V) IBIS模型
SiT8920(LVCMOS,2.5 V) IBIS模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.8 V) IBIS模型
SiT8920(LVCMOS,3.0 V) IBIS模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.3 V) IBIS模型
SiT8920(LVCMOS,2.25到3.63 V) IBIS模型
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