SiT5186GydF4y2Ba

振荡器型GydF4y2Ba	TCXO-SEGydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba	为1〜60MHz的GydF4y2Ba
频率稳定性（PPM）GydF4y2Ba	±0.5，±1，±2.5GydF4y2Ba
相位抖动（RMS）GydF4y2Ba	0.31 PSGydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba	LVCMOS，削波正弦波GydF4y2Ba
工作温度范围（℃）GydF4y2Ba	-20至70（4级），-40到85（3级）， - 40至105（2级）GydF4y2Ba
拉范围（PPM）GydF4y2Ba	±6.25，±10，±12.5，±25，±50，±80，±100，±125±150，±200，±400，±600，±800，1600±，±3200GydF4y2Ba
电源电压（V）GydF4y2Ba	2.5，2.8，3，3.3GydF4y2Ba
封装类型（平方毫米）GydF4y2Ba	5.0×3.2 10针GydF4y2Ba
特征GydF4y2Ba	精密TCXOGydF4y2Ba
可用性GydF4y2Ba	采样GydF4y2Ba

紧稳定性±0.5 ppm，在2 AEC-Q100级温度GydF4y2Ba

• ±0.5 ppm，在温度-40℃至105℃GydF4y2Ba

下气流出色的动态稳定性，快速温度。舷梯GydF4y2Ba

• 以10秒的平均时间3E-11 ADEVGydF4y2Ba
• ±15 PPB /℃频率斜率（ΔF/ΔT），10℃/ min的升温速率GydF4y2Ba
  • 任何工作条件下允许最快的卫星锁GydF4y2Ba

下振动20倍更好的相位噪声GydF4y2Ba

• 在高振动环境卫星锁最小化损失GydF4y2Ba

无活动骤降或microjumpsGydF4y2Ba

• 无需昂贵的筛选或烧机测试GydF4y2Ba

0.2 PS /毫伏电源噪声抑制（PSNR）GydF4y2Ba

• 通过消除专用LDO的TCXO降低BOMGydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动30,000GydF4y2BaGGydF4y2Ba休克GydF4y2Ba

• 最好鲁棒性和可靠性在恶劣条件下GydF4y2Ba

LVCMOS或剪辑正弦波输出GydF4y2Ba

• 为优化EMI和抖动之间的最佳平衡点GydF4y2Ba

丰富的可编程功能GydF4y2Ba

• 之间1〜60兆赫的任何频率GydF4y2Ba
• ±0.5ppm的，±1ppm时，±2.5ppm的GydF4y2Ba
• 2.25〜3.63 VGydF4y2Ba
• 大拉范围从±6.25至±3200 ppm的：GydF4y2Ba
  • 自定义TCXO规格为最佳的系统性能GydF4y2Ba

通过I2C数字频率调谐GydF4y2Ba

• 消除由板噪声频移GydF4y2Ba

卓越的可靠性GydF4y2Ba

• 1十亿个小时MTBFGydF4y2Ba
• 终身保修：减少由于时钟部件维修成本和现场故障GydF4y2Ba