SiTime的MEMS提供千赫振荡器和温度补偿晶体振荡器的全系列。一个超小尺寸的独特组合，μPower操作，和准确性使得装置用于计时空间敏感，电池驱动产品的理想配合。具有可编程驱动强度，这些设备可以驱动多个负载，如BLE睡眠时钟，RTC，音频，和其它连接的SOC。
32个千赫振荡器
SiTime公司的MEMS 32千赫解决方案适用于在可穿戴和移动应用中，其中的空间和功率是临界取代传统的石英晶体（谐振器）。
- 更小的体积：1.9平方毫米（1.5×0.8 MM）CSP（SiT1532，SiT1572）
- 超低功耗，低<1μA
- NanoDrive驱动™可编程输出摆动最小化功率相比LVCMOS输出（SiT1532 / 3）
- 用于调节的电源的应用，如钮扣电池或超级电容电池备份（SiT1532 / 3）1.2 V工作优化的
- 包罗万象的频率稳定性，低至±50ppm的过温。（SiT1572）
| 设备 | 数据表 | 频率 | 稳定性（PPM） | 输出类型 | 电源电压（V） | 温度。范围（℃） | 包装尺寸（毫米2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiT1532 | 32.768千赫 | 75100250 | LVCMOSNanoDrive驱动™ | 1.2〜3.63 | -10至+70-40到+85 | 1.5x0.8 | |
| SiT1533 | 32.768千赫 | 75100250 | LVCMOSNanoDrive驱动™ | 1.2〜3.63 | -10至+70-40到+85 | 2.0x1.2 | |
| SiT1572 | 32.768千赫 | ±50 | LVCMOS | 1.62至3.63 | -40到+85 | 1.5x0.8 | |
| SiT1630 | 32.768，16.384千赫 | 75100150 | LVCMOS | 1.5〜3.63 | -10至+70-40到+85-40至+105 | 2.0x1.2SOT23-5 | |
| SiT1573 | 32.768千赫 | ±100 | LVCMOS | 1.62至3.63 | -40到+85 | 1.5x0.8 |
32度千赫的TCXO
SiTime公司的32 kHz的TCXO家族是第一个提供±3ppm的稳定性在1.2平方毫米芯片级封装。典型的核心电源电流低至1μA。这些32度千赫的TCXO是工厂校准在多个温度点，以保证极紧，包罗万象的频率稳定性。
- 电源电流低至0.99μA（SiT1552）
- 稳定性选项包括±3ppm的（SiT1566在4.5μA）和±10ppm的（SiT1552 0.99μA）
- NanoDrive驱动™可编程输出摆动最小化功率相比LVCMOS输出（SiT1552）
| 设备 | 数据表 | 频率 | 稳定性（PPM） | 输出类型 | 电源电压（V） | 温度。范围（℃） | 包装尺寸（毫米2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiT1552 | 32.768千赫 | ±5±10±20 | LVCMOSNanoDrive驱动™ | 1.5〜3.63 | -0至+70-40到+85 | 1.5x0.8 | |
| SiT1566 | 32.768千赫 | ±3±5 | LVCMOS | 1.62至3.63 | -20至+70-40到+85 | 1.5x0.8 | |
| SiT1568 | 32.768千赫 | ±5 | LVCMOS | 1.8 | -20至+70-40到+85 | 1.5x0.8 |