32.768 kHz的振荡器

SiTime的MEMS提供千赫振荡器和温度补偿晶体振荡器的全系列。一个超小尺寸的独特组合,μPower操作,和准确性使得装置用于计时空间敏感,电池驱动产品的理想配合。具有可编程驱动强度,这些设备可以驱动多个负载,如BLE睡眠时钟,RTC,音频,和其它连接的SOC。

32个千赫振荡器

SiTime公司的MEMS 32千赫解决方案适用于在可穿戴和移动应用中,其中的空间和功率是临界取代传统的石英晶体(谐振器)。

  • 更小的体积:1.9平方毫米(1.5×0.8 MM)CSP(SiT1532,SiT1572)
  • 超低功耗,低<1μA
  • NanoDrive驱动™可编程输出摆动最小化功率相比LVCMOS输出(SiT1532 / 3)
  • 用于调节的电源的应用,如钮扣电池或超级电容电池备份(SiT1532 / 3)1.2 V工作优化的
  • 包罗万象的频率稳定性,低至±50ppm的过温。(SiT1572)
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(℃) 包装尺寸(毫米2
SiT1532 32.768千赫 75100250 LVCMOSNanoDrive驱动™ 1.2〜3.63 -10至+70-40到+85 1.5x0.8
SiT1533 32.768千赫 75100250 LVCMOSNanoDrive驱动™ 1.2〜3.63 -10至+70-40到+85 2.0x1.2
SiT1572 32.768千赫 ±50 LVCMOS 1.62至3.63 -40到+85 1.5x0.8
SiT1630 32.768,16.384千赫 75100150 LVCMOS 1.5〜3.63 -10至+70-40到+85-40至+105 2.0x1.2SOT23-5
SiT1573 32.768千赫 ±100 LVCMOS 1.62至3.63 -40到+85 1.5x0.8

32度千赫的TCXO

SiTime公司的32 kHz的TCXO家族是第一个提供±3ppm的稳定性在1.2平方毫米芯片级封装。典型的核心电源电流低至1μA。这些32度千赫的TCXO是工厂校准在多个温度点,以保证极紧,包罗万象的频率稳定性。

  • 电源电流低至0.99μA(SiT1552)
  • 稳定性选项包括±3ppm的(SiT1566在4.5μA)和±10ppm的(SiT1552 0.99μA)
  • NanoDrive驱动™可编程输出摆动最小化功率相比LVCMOS输出(SiT1552)
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(℃) 包装尺寸(毫米2
SiT1552 32.768千赫 ±5±10±20 LVCMOSNanoDrive驱动™ 1.5〜3.63 -0至+70-40到+85 1.5x0.8
SiT1566 32.768千赫 ±3±5 LVCMOS 1.62至3.63 -20至+70-40到+85 1.5x0.8
SiT1568 32.768千赫 ±5 LVCMOS 1.8 -20至+70-40到+85 1.5x0.8