兆赫振荡器

最佳

SiTime的MEMS提供振荡器兆赫的完整的产品组合。这些器件提供不可用石英配置功能，并且被设计为更高的可靠性，更短的交货时间，解决独特定时问题，诸如EMI和在系统可编程。他们可以取代石英振荡器没有任何重新设计或电路板布局的变化。

类别

差分振子 LVCMOS振荡器 汽车及高温振荡器 扩频振荡器 压控振荡器 I2C / SPI振荡器 数控振荡器

差分振子

SiTime公司提供一个一站式所有差分振荡器要求，下降到70个fs的RMS抖动。这些高性能的振荡器是理想的光模块，网络，服务器，存储和电信应用，并提供低抖动，以及电源噪声(PSNR)免疫在共同的环境危害，例如冲击，振动，电源的存在噪声和EMI。

  • 70个FS抖动（典型值）的行业标准，小外形封装小2x1.6毫米
  • 从1mhz到725mhz的任何频率
  • ±10ppm的稳定同优秀的动态性能在不断变化的环境条件下
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压（V） 温度。范围（℃） 包大小（毫米2）
SiT9120 31个标准频率 ±10±20±25±50 LVPECLLVDS 2.53.32.25〜3.63 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9121 1〜220兆赫 ±10±20±25±50 LVPECLLVDS 2.53.32.25〜3.63 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9122 220至625 MHz的 ±10±20±25±50 LVPECLLVDS 2.53.32.25〜3.63 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9365 32标准频率 ±10±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.833.3 -20至+70-40到+85-40至+105 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9366 1〜220兆赫 ±10±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.833.3 -20至+70-40到+85-40至+105 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9367 220至725 MHz的 ±10±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.833.3 -20至+70-40到+85-40至+105 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9501 14个标准频率 ±20±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL低功耗HCSLFlexSwing 1.82.52.83.31.71到3.632.25〜3.63 -20至+70-40到+85-40至+95-40至+105 2.0x1.62.5x2.03.2x2.5
SiT9375 31个标准频率 ±20±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL低功耗HCSLFlexSwing 1.82.53.31.71到3.632.25〜3.63 -20至+70-40到+85-40至+95-40至+105 2.0×1.62.5×2.03.2×2.0

关键资源

AN10029输出端接差分振荡器

LVCMOS振荡器

SiTime公司提供了一个广泛的LVCMOS振荡器用于消费，工业，物联网和网络应用的产品组合。这些设备可更小的尺寸和更低的功耗。此外，他们在各种工业标准封装的。

  • 精度的1〜220 MHz的6个小数位
  • 功耗低至60μA
  • 更好的频率稳定性，紧张，因为±10ppm的
  • 行业标准的足迹（2016，2520，3225，5032，7050和）
  • SOT23-5引线封装更高板级可靠性和可制造
  • FlexEdge™可配置的上升/下降时间为0.25到40 ns转换速率，以减少电磁干扰
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压（V） 温度。范围（℃） 包大小（毫米2）
SiT1602 52个标准频率 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.31.8〜3.3（采样） -20至+70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT2001 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -20至+70-40到+85 SOT23（2.9x2.8）
SiT2002 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -20至+70-40到+85 SOT23（2.9x2.8）
SiT8008 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.31.8〜3.3（采样） -20至+70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8009 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.31.8〜3.3（采样） -20至+70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8208 1到80 MHz ±10±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8209 80至220兆赫 ±10±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0

关键资源

AN10002终止建议单端振荡器驱动单或多负载 AN10022上升和下降时间选型SiT8103，SiT8003和SiT9003

汽车及高温振荡器

SiTime公司的汽车（AEC-Q100）和高温振荡器从-55℃至125℃的传送±20ppm的频率稳定度。他们是更好的两次稳定性，20倍更可靠，并与石英振动冲击30倍的抗性。

  • 精度的1至725 MHz的6个小数位
  • 军用(-55 - 125℃)，汽车(-40 - 125℃)，扩展工业(-40 - 105℃)温度
  • 的为0.1ppb / g的低振动灵敏度（G-灵敏度）
  • 50000克休克和70g耐振动性
  • >图1billion小时平均
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压（V） 温度。范围（℃） 包大小（毫米2）
SiT1618 33个标准频率 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40至+105-40至+125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT2018 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40至+105-40至+125 SOT23（2.9x2.8）
SiT2019 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40至+105-40至+125 SOT23（2.9x2.8）
SiT2020 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -55 + 125 SOT23（2.9x2.8）
SiT2021 119至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -55 + 125 SOT23（2.9x2.8）
SiT2024 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40到85（3级）-40至105（二级）-40至125(一年级)-55至125（分机冷一级） SOT23（2.9x2.8）
SiT2025 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40到85（3级）-40至105（二级）-40至125(一年级)-55至125（分机冷一级） SOT23（2.9x2.8）
SiT8918 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40至+105-40至+125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8919 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40至+105-40至+125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8920 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8921 119至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8924 1至110兆赫 ±20±25±30±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40到+85-40至+105-40至+125-55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8925 115至137 MHz的 ±20±25±30±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40到+85-40至+105-40至+125-55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9386 1〜220兆赫 ±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -40到85（3级）-40至105（二级） 3.2x2.57.0 x5.0
SiT9387 220至725 MHz的 ±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -40到85（3级）-40至105（二级） 3.2x2.57.0 x5.0
SiT9025 1至150兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40到85（3级）-40至105（二级）-40至125(一年级)-55至125（分机冷一级） 2.0x1.6毫米2.5x2.0毫米3.2x2.5毫米

关键资源

提高汽车的可靠性和性能超强劲的MEMS振荡器 AEC-Q100汽车振荡器的ADAS，相机模块，以及车载以太网 AEC-Q100汽车振荡器的ADAS，相机模块，以及车载以太网

扩频振荡器

SiTime公司的EMI降低振荡器保证通过扩频时钟和上升/时钟信号的下降时间调整排放达标。他们都支持SiTi亚博电竞me公司的Time Machine II编程，使工程师能够迅速减少排放水平，并确保客户通过合规性。

  • 基频高达17分贝，谐波高达30分贝
  • 广泛的传播范围：最多4％，峰 - 峰
  • FlexEdge™配置的上升/下降时间选择：0.25 ns至40 ns的转换率
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压（V） 温度。范围（℃） 包大小（毫米2）
SiT9002 1〜220兆赫 ±25±50 LVPECLLVDSCMLHCML 1.82.53.3 -20至+70-40到+85 5.0x3.27.0 x5.0
SiT9003 1至110兆赫 ±50±100 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9005 1至141兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -20至+70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.5

关键资源

AN10005扩频时钟振荡器 AN10022上升和下降时间选型SiT8103，SiT8003和SiT9003

压控振荡器

SiTime MEMS VCXOs为视频分发(CMTS)、网络、电信和仪器应用程序提供了卓越的动态性能和最高的可靠性。这些装置被设计成在常见的环境危害(如冲击、振动、噪声电源和电磁干扰)存在时保持相同的相位噪声和频率调整精度。它们使设备，如电缆头端和远程无线电头(RRH)，在不受控制的环境中，如无空调的地下室或屋顶，提供最高的性能、最好的可靠性和最高的服务质量。

  • 从1MHz到725兆赫1个赫兹步骤的任何频率
  • ±15ppm的，最佳的动态稳定性在整个温度范围（-40至+ 85℃）
  • 0.02 PS /毫伏电源噪声抑制（PSNR），降低电源的要求
  • 最佳(0.1%)和最宽(±25 ~±3200 ppm)的拉力范围线性度，比石英好50倍
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压（V） 温度。范围（℃） 包大小（毫米2）
SiT3372 1〜220兆赫 ±15±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -20至+70-40到+85-40至+105 3.2x2.57.0 x5.05.0x3.2
SiT3373 220至725 MHz的 ±15±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -20至+70-40到+85-40至+105 3.2x2.57.0 x5.05.0x3.2
SiT3807 31个频率 ±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT3808 1到80 MHz ±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT3809 80至220兆赫 ±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0

关键资源

VCXO规格AN10020定义 AN10021 VCXO参数取舍PLL设计

I2C / SPI振荡器

SiTime的Elite Platform™I2C/SPI振荡器允许用户使用数字接口编程输出频率和系统内拉频，为设计者提供了极大的灵活性。该系列产品提供超低抖动，并利用SiTime独特的DualMEMS温度传感和涡轮补偿技术来提供卓越的动态性能。

  • 适用于替代电信、网络、服务器、存储、广播、测试和测量设备等支持多个频率的系统中的多个定时组件亚博电竞
  • 任意频率模式的编程输出频率通过I2C或SPI从1 MHz到725 MHz
  • 通过I2C或SPI数字控制振荡器（DCO）模式用于拉动/调谐频率高达±3200 ppm的用0.005 ppb的分辨率
  • 频率(1 MHz至725mhz)、电压(2.5 V至3.3 V)、拉距(±25ppm至±3200ppm)和三种DE输出格式(LVPECL、LVDS或HCSL)的任意组合
  • 0.2 ps的典型集成相位抖动
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压（V） 温度。范围（℃） 包大小（毫米2）
SiT3521 1至340兆赫 ±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.5至3.3 -20至+70-40到+85-40至+105 5.0×3.2 10针
SiT3522 340至725 MHz的 ±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.5至3.3 -20至+70-40到+85-40至+105 5.0×3.2 10针

关键资源

AN10050 I2C / SPI可编程振荡器

数控振荡器

SiTime的数字控制MEMS振荡器(DCXO)使用户通过单线数字接口可将输出频率调整至±1600 ppm。这就消除了传统VCXO设计中使用外部DAC的需要。它也消除了由电压控制线上的板噪声引起的频移。

  • 宽范围拉选项，包括±25，±50，±100，±150±200，±400，±800，或±1600ppm的
  • 拉距分辨率为1 ppb
  • （2.5 V至3.3 V 1.8 V），拉范围（±25ppm至±1600ppm的），和工业标准封装（3225，5032，7050或）频率（高达625兆赫），电源电压的任意组合
  • LVCMOS输出（SiT3907）和差分输出（SiT3921和SiT3922）
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压（V） 温度。范围（℃） 包大小（毫米2）
SiT3907 1〜220兆赫 ±10±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT3921 1〜220兆赫 ±10±25±50 LVPECLLVDS 2.53.3 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT3922 220至625 MHz的 ±10±25±50 LVPECLLVDS 2.53.3 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0

关键资源

AN10041设计与DCXOs的SiT39xx家庭（数控振荡器）