兆赫振荡器

SiTime的MEMS提供振荡器兆赫的完整的产品组合。这些器件提供不可用石英配置功能,并且被设计为更高的可靠性,更短的交货时间,解决独特定时问题,诸如EMI和在系统可编程。他们可以取代石英振荡器没有任何重新设计或电路板布局的变化。

差分振子

SiTime公司提供一个一站式所有差分振荡器要求下降到70个fs的RMS抖动。这些高性能的振荡器是理想的光模块,网络,服务器,存储和电信应用,并提供低抖动,以及电源噪声(PSNR)免疫在共同的环境危害,例如冲击,振动,电源的存在噪声和EMI。

  • 70个FS抖动(典型值)的行业标准,小外形封装小2x1.6毫米
  • 从1mhz到725mhz的任何频率
  • ±10ppm的稳定优秀的动态性能在不断变化的环境条件下
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(℃) 包大小(毫米2
SiT9120 31个标准频率 ±10±20±25±50 LVPECLLVDS 2.53.32.25〜3.63 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9121 1〜220兆赫 ±10±20±25±50 LVPECLLVDS 2.53.32.25〜3.63 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9122 220至625 MHz的 ±10±20±25±50 LVPECLLVDS 2.53.32.25〜3.63 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9365 32标准频率 ±10±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.833.3 -20至+70-40到+85-40至+105 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9366 1〜220兆赫 ±10±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.833.3 -20至+70-40到+85-40至+105 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9367 220至725 MHz的 ±10±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.833.3 -20至+70-40到+85-40至+105 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9501 14个标准频率 ±20±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL低功耗HCSLFlexSwing 1.82.52.83.31.71到3.632.25〜3.63 -20至+70-40到+85-40至+95-40至+105 2.0x1.62.5x2.03.2x2.5
SiT9375 31个标准频率 ±20±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL低功耗HCSLFlexSwing 1.82.53.31.71到3.632.25〜3.63 -20至+70-40到+85-40至+95-40至+105 2.0×1.62.5×2.03.2×2.0

LVCMOS振荡器

SiTime公司提供了一个广泛的LVCMOS振荡器用于消费,工业,物联网和网络应用的产品组合。这些设备可更小的尺寸和更低的功耗。此外,他们在各种工业标准封装的。

  • 精度的1〜220 MHz的6个小数位
  • 功耗低至60μA
  • 更好的频率稳定性,紧张,因为±10ppm的
  • 行业标准的足迹(2016,2520,3225,5032,7050和)
  • SOT23-5引线封装更高板级可靠性和可制造
  • FlexEdge™可配置的上升/下降时间为0.25到40 ns转换速率,以减少电磁干扰
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(℃) 包大小(毫米2
SiT1602 52个标准频率 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.31.8〜3.3(采样) -20至+70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT2001 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -20至+70-40到+85 SOT23(2.9x2.8)
SiT2002 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -20至+70-40到+85 SOT23(2.9x2.8)
SiT8008 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.31.8〜3.3(采样) -20至+70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8009 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.31.8〜3.3(采样) -20至+70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8208 1到80 MHz ±10±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8209 80至220兆赫 ±10±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0

汽车及高温振荡器

SiTime公司的汽车(AEC-Q100)和高温振荡器从-55℃至125℃的传送±20ppm的频率稳定度。他们是更好的两次稳定性,20倍更可靠,并与石英振动冲击30倍的抗性。

  • 精度的1至725 MHz的6个小数位
  • 军用(-55 - 125℃),汽车(-40 - 125℃),扩展工业(-40 - 105℃)温度
  • 的为0.1ppb / g的低振动灵敏度(G-灵敏度)
  • 50000克休克和70g耐振动性
  • >图1billion小时平均
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(℃) 包大小(毫米2
SiT1618 33个标准频率 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40至+105-40至+125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT2018 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40至+105-40至+125 SOT23(2.9x2.8)
SiT2019 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40至+105-40至+125 SOT23(2.9x2.8)
SiT2020 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -55 + 125 SOT23(2.9x2.8)
SiT2021 119至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -55 + 125 SOT23(2.9x2.8)
SiT2024 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40到85(3级)-40至105(二级)-40至125(一年级)-55至125(分机冷一级) SOT23(2.9x2.8)
SiT2025 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40到85(3级)-40至105(二级)-40至125(一年级)-55至125(分机冷一级) SOT23(2.9x2.8)
SiT8918 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40至+105-40至+125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8919 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40至+105-40至+125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8920 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8921 119至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8924 1至110兆赫 ±20±25±30±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40到+85-40至+105-40至+125-55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT8925 115至137 MHz的 ±20±25±30±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40到+85-40至+105-40至+125-55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9386 1〜220兆赫 ±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -40到85(3级)-40至105(二级) 3.2x2.57.0 x5.0
SiT9387 220至725 MHz的 ±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -40到85(3级)-40至105(二级) 3.2x2.57.0 x5.0
SiT9025 1至150兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -40到85(3级)-40至105(二级)-40至125(一年级)-55至125(分机冷一级) 2.0x1.6毫米2.5x2.0毫米3.2x2.5毫米

扩频振荡器

SiTime公司的EMI降低振荡器保证通过扩频时钟和上升/时钟信号的下降时间调整排放达标。他们都支持SiTi亚博电竞me公司的Time Machine II编程,使工程师能够迅速减少排放水平,并确保客户通过合规性。

  • 基频高达17分贝,谐波高达30分贝
  • 广泛的传播范围:最多4%,峰 - 峰
  • FlexEdge™配置的上升/下降时间选择:0.25 ns至40 ns的转换率
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(℃) 包大小(毫米2
SiT9002 1〜220兆赫 ±25±50 LVPECLLVDSCMLHCML 1.82.53.3 -20至+70-40到+85 5.0x3.27.0 x5.0
SiT9003 1至110兆赫 ±50±100 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT9005 1至141兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5至3.3 -20至+70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.5

压控振荡器

SiTime MEMS VCXOs为视频分发(CMTS)、网络、电信和仪器应用程序提供了卓越的动态性能和最高的可靠性。这些装置被设计成在常见的环境危害(如冲击、振动、噪声电源和电磁干扰)存在时保持相同的相位噪声和频率调整精度。它们使设备,如电缆头端和远程无线电头(RRH),在不受控制的环境中,如无空调的地下室或屋顶,提供最高的性能、最好的可靠性和最高的服务质量。

  • 从1MHz到725兆赫1个赫兹步骤的任何频率
  • ±15ppm的,最佳的动态稳定性在整个温度范围(-40至+ 85℃)
  • 0.02 PS /毫伏电源噪声抑制(PSNR),降低电源的要求
  • 最佳(0.1%)和最宽(±25 ~±3200 ppm)的拉力范围线性度,比石英好50倍
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(℃) 包大小(毫米2
SiT3372 1〜220兆赫 ±15±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -20至+70-40到+85-40至+105 3.2x2.57.0 x5.05.0x3.2
SiT3373 220至725 MHz的 ±15±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -20至+70-40到+85-40至+105 3.2x2.57.0 x5.05.0x3.2
SiT3807 31个频率 ±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT3808 1到80 MHz ±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT3809 80至220兆赫 ±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20至+70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0 x5.0

I2C / SPI振荡器

SiTime的Elite Platform™I2C/SPI振荡器允许用户使用数字接口编程输出频率和系统内拉频,为设计者提供了极大的灵活性。该系列产品提供超低抖动,并利用SiTime独特的DualMEMS温度传感和涡轮补偿技术来提供卓越的动态性能。

  • 适用于替代电信、网络、服务器、存储、广播、测试和测量设备等支持多个频率的系统中的多个定时组件亚博电竞
  • 任意频率模式的编程输出频率通过I2C或SPI从1 MHz到725 MHz
  • 通过I2C或SPI数字控制振荡器(DCO)模式用于拉动/调谐频率高达±3200 ppm的用0.005 ppb的分辨率
  • 频率(1 MHz至725mhz)、电压(2.5 V至3.3 V)、拉距(±25ppm至±3200ppm)和三种DE输出格式(LVPECL、LVDS或HCSL)的任意组合
  • 0.2 ps的典型集成相位抖动
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(℃) 包大小(毫米2
SiT3521 1至340兆赫 ±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.5至3.3 -20至+70-40到+85-40至+105 5.0×3.2 10针
SiT3522 340至725 MHz的 ±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.5至3.3 -20至+70-40到+85-40至+105 5.0×3.2 10针

数控振荡器

SiTime的数字控制MEMS振荡器(DCXO)使用户通过单线数字接口可将输出频率调整至±1600 ppm。这就消除了传统VCXO设计中使用外部DAC的需要。它也消除了由电压控制线上的板噪声引起的频移。

  • 宽范围拉选项,包括±25,±50,±100,±150±200,±400,±800,或±1600ppm的
  • 拉距分辨率为1 ppb
  • (2.5 V至3.3 V 1.8 V),拉范围(±25ppm至±1600ppm的),和工业标准封装(3225,5032,7050或)频率(高达625兆赫),电源电压的任意组合
  • LVCMOS输出(SiT3907)和差分输出(SiT3921和SiT3922)
设备 数据表 频率 稳定性(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(℃) 包大小(毫米2
SiT3907 1〜220兆赫 ±10±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT3921 1〜220兆赫 ±10±25±50 LVPECLLVDS 2.53.3 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0
SiT3922 220至625 MHz的 ±10±25±50 LVPECLLVDS 2.53.3 -20至+70-40到+85 3.2x2.55.0x3.27.0 x5.0