坚固耐用的振荡器

SiTime公司提供了一个广泛的Endura加固型振荡器™用于航空航天,国防,以及那些需要超高弹性大范围的恶劣环境条件下的工业自动化应用的产品组合。这些设备提供下的气流,热梯度,压力和电源噪声最低加速度灵敏度,最好抗冲击和振动,高可靠性(> 1十亿个小时MTBF),和优异的动态性能。

SiTime公司的耐用设备可以是工厂编程的宽范围的参数内,以频率,稳定性和电压的任意组合,从而消除了长的交货时间,并用石英产品相关联的定制的成本。所有的Endura兆赫振荡器符合MIL-PRF-55310和MIL-STD-883规格。标准或定制强化筛选流程可供选择。

加固的Super-TCXOs

的Endura坚固耐用超级的TCXO紧张稳定性(±0.05ppm至±2.5ppm的),1〜220 MHz高精度振荡器,工程化以下环境应激源提供最稳定的定时 - 气流,快速的温度变化,冲击,振动,供电不良,和EMI。

  • 最好加速度灵敏度,0.004 PPB /克(典型值) - 50%,比石英更好
  • 30000克机械冲击和振动70克电阻
  • 气流和热冲击性,0.9 ppb的/℃(ΔF/ΔT)
  • 优秀的艾伦偏差(ADEV),1.5E-11,10S平均时间
  • 低电源噪声抑制(PSNR), 0.2 ps/mV
  • I2C数字频率调谐消除外部DAC和板噪声灵敏度
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(°C) 包装尺寸(毫米2
SiT5146 为1〜60MHz的 ±0.5±1±2.5 LVCMOS削波正弦波 2.52.833.3 -20至+70-40到+85-40至+105 5.0 x 3.2 10针
SiT5147 60至220兆赫 ±0.5±1±2.5 LVCMOS 2.52.833.3 -20至+70-40到+85-40至+105 5.0 x 3.2 10针
SiT5346 为1〜60MHz的 ±0.1±0.2±0.25 LVCMOS削波正弦波 2.52.833.3 -20至+70-40到+85-40至+105 5.0 x 3.2 10针
SiT5348 为1〜60MHz的 ±0.05 LVCMOS削波正弦波 2.52.833.3 0至+70 5.0 x 3.2 10针
SiT5349 60至220兆赫 ±0.05 LVCMOS 2.52.833.3 0至+70 5.0 x 3.2 10针
SiT5347 60至220兆赫 ±0.1±0.2±0.25 LVCMOS 2.52.83.03.3 -20至+70-40到+85-40至+105 5.0 x 3.2 10针

LVCMOS加固振荡器

SiTime的报价为坚固耐用国防和航空航天应用单端的Endura振荡器具有广泛的功能。这些设备提供的宽的频率范围(1到137兆赫),优异的稳定性(±20ppm)的,和宽的温度范围(-55至125℃)的完美结合 - 以任何组合。

  • 加速度灵敏度低,0.1 ppb/g
  • 宽的操作温度,-55至+ 125°C
  • 工业标准QFN包,小到2.0 mm x 1.6 mm
  • SOT23-5引线封装更高板级可靠性和可制造
  • FlexEdge™配置的上升/下降时间可以减少电磁干扰
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(°C) 包装尺寸(毫米2
SiT2045 115至137 MHz的 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40至105(二级)-40至125(1级)-55至125(分机冷一级) SOT23 (2.9 x2.8)
SiT2044 1至110兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40至105(二级)-40至125(1级)-55至125(分机冷一级) SOT23 (2.9 x2.8)
SiT8945 115至137 MHz的 ±20±25±30±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40至+105-40至+125-55至+125 2.0 x1.62.5x2.03.2x2.55.0 x3.27.0x5.0
SiT8944 1至110兆赫 ±20±25±30±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40至+105-40至+125-55至+125 2.0 x1.62.5x2.03.2x2.55.0 x3.27.0x5.0

扩频振荡器加固

SiTime公司的的Endura EMI抑制振荡器确保通过两种技术排放达标:扩频时钟和上升/时钟信号的下降时间调整。这些耐用设备,设计用于恶劣环境,具有超低加速度灵敏度和高温操作。

  • 基频的电磁干扰降低高达17分贝,谐波的电磁干扰降低高达30分贝
  • 广泛的传播范围,高达4%,峰 - 峰
  • FlexEdge™配置的上升/下降时间选择:0.25 ns至40 ns的转换率
  • 加速度灵敏度低,0.1 ppb/g
  • 宽的操作温度,-55至+ 125°C
  • 小型工业标准QFN包,小到2.0 mm x 1.6 mm
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(°C) 包装尺寸(毫米2
SiT9045 1至150兆赫 ±20±25±50 LVCMOS 1.82.25〜3.3 -55至+125 2.0 x1.62.5x2.03.2x2.5

LVPECL / LVDS / HCSL加固型振荡器

SiTime公司提供了高可靠性的航空航天和国防应用的Endura高性能差分振荡器。这些耐用设备提供低抖动和环境危害,例如冲击,振动,噪声的电源,和EMI的存在电源噪声抑制(PSNR)。

  • 加速度灵敏度低,0.1 ppb/g
  • 低0.21 ps RMS抖动(typ.)在小型工业标准包
  • 在恶劣环境下具有较好的动态稳定性
  • 精密频率转向,数字调谐至±5ppt
  • 从1MHz到725 MHz的任何频率的精度的6个小数位
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(°C) 包装尺寸(毫米2
SiT9346 1至220兆赫 ±10±20±25±50 LVCMOSLVPECLHCSL 2.52.833.3 -40至+105 3.2x2.55.0 x3.27.0x5.0
SiT9347 220至725 MHz的 ±10±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.833.3 -40至+105 3.2x2.55.0 x3.27.0x5.0

数控振荡器加固

SiTime公司的Endura DCXOs允许用户使用数字接口(I2C或SPI)对输出频率和系统内的拉频进行编程,为设计者提供了极大的灵活性来实现无噪声时钟同步。这一坚固的家庭提供超低的加速度灵敏度和低抖动。

  • 非常适合在系统替代多个定时组件支持多个频率亚博电竞
  • 任何频率模式用于从1MHz经由I2C或SPI编程输出频率725兆赫
  • 通过I2C或SPI频率牵引/调谐到±3200 ppm的与0.005 ppb的分辨率和<1%的线性
  • 低0.21皮秒RMS集成(典型值)的相位抖动
  • 加速度灵敏度低,0.1 ppb/g
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(°C) 包装尺寸(毫米2
SiT3541 1至340兆赫 ±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.5到3.3 -40到+85 5.0 x 3.2 10针
SiT3542 340至725 MHz的 ±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.5到3.3 -40到+85 5.0 x 3.2 10针

坚固耐用压控振荡器

SiTime MEMS VCXOs为国防和航空航天应用提供了卓越的动态性能和高可靠性。这些加固设备的设计是为了在恶劣的环境条件下保持相位噪声性能和频率调谐精度。

  • 在1赫兹的步长中从1兆赫到725兆赫的任何频率
  • 宽拉伸范围,±25 ~±3200 ppm,线性度<1%
  • 低抖动,0.21 ps的RMS(12K至20MHz)
  • 低电源噪声抑制(PSNR),0.05 PS /毫伏
  • 加速度灵敏度低,0.1 ppb/g
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(°C) 包装尺寸(毫米2
SiT3343 220至725 MHz的 ±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -40至+105 3.2x2.55.0 x3.27.0x5.0
SiT3342 1至220兆赫 ±15±25±35±50 LVPECLLVDSHSCL 2.52.83.03.3 -40至+105 3.2x2.55.0 x3.27.0x5.0

32千赫&1 Hz至2.5MHz的加固型振荡器/ TCXO的

SiTime公司的加固型低频器件是超小型,低功耗的解决方案,提供了新的架构选项的应用场合空间,功率和可靠性是至关重要的。这些装置使用的是所使用的最新一代Epyabo网赌iSeal™技术的其气密地密封谐振器制成,使其不受外部大气元件MEMS谐振器。

  • 新EpiSeal谐振器不受任何小分子气体
  • 小型脚印尺寸:1.9平方毫米(1.5×0.8 MM)CSP
  • 超低功耗:低至4.5μA
  • 低抖动:低到2.2 ns集成均方根相位抖动
  • SiT1580±5-ppmTCXO:为改善当地报时和系统电源全包的频率稳定度
  • SiT1581±50-ppm的振荡器:包罗万象的频率稳定度和宽的频率范围
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度。范围(°C) 包装尺寸(毫米2
SiT1580 32.768千赫 ±5 LVCMOS 1.62到3.63 -20至+70-40到+85 1.5x0.8
SiT1581 1赫兹到2.5兆赫 ±50 LVCMOS 1.62到3.63 -20至+70-40到+85 1.5x0.8