1至110兆赫,宽温度(-55至+ 125℃)SOT23振荡器GydF4y2Ba

所述SiT2020B振荡器采用的是SOT23封装最佳板级焊点可靠性和低成本,光学-ONLYGydF4y2Ba板级GydF4y2Ba检查。该器件具有很宽的频率范围内,GydF4y2Ba出色的稳定性GydF4y2Ba和最短的交货时间GydF4y2Ba工业,医疗,汽车,航空电子设备,以及其它高温应用GydF4y2Ba。GydF4y2Ba该器件还具有业界最好为0.1ppb / g的振动灵敏度,50000克休克和70g耐振动性。GydF4y2Ba

对于SMD封装相同的设备,请参阅GydF4y2BaSiT8920BGydF4y2Ba时钟振荡器。GydF4y2Ba

计划振荡器立竿见影的样品,优化的性能和快速原型|GydF4y2Ba学到更多GydF4y2Ba

含铅SOT23封装最佳板级可靠性,检查和制造性GydF4y2Ba
振荡器型GydF4y2Ba XO-SEGydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba 1至110兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba ±20,±25,±50GydF4y2Ba
相位抖动(RMS)GydF4y2Ba 1.3 PSGydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba LVCMOSGydF4y2Ba
工作温度范围(℃)GydF4y2Ba -55至+125GydF4y2Ba
FlexEdgeGydF4y2BaTM值GydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba 是GydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba 1.8,2.5〜3.3GydF4y2Ba
封装类型(平方毫米)GydF4y2Ba SOT23(2.9x2.8)GydF4y2Ba
特征GydF4y2Ba 现场可编程,军事温度-55至125℃,SOT23-5GydF4y2Ba
可用性GydF4y2Ba 生产GydF4y2Ba

的独特组合GydF4y2Ba

  • ±20ppm的GydF4y2Ba
  • -55°C至125℃的工作温度范围GydF4y2Ba
  • 小SOT23-5封装:GydF4y2Ba
    • 最好的一流过极端温度范围用于室外应用的稳定性;GydF4y2Ba

为0.1ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低GydF4y2BaGGydF4y2Ba-灵敏度GydF4y2Ba

  • 在恶劣的环境没有性能下降;GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动50000GydF4y2BaGGydF4y2Ba休克GydF4y2Ba

  • 坚不可摧;GydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI减少对其他子系统的干扰;GydF4y2Ba

SOT23-5封装GydF4y2Ba

  • 最好板级的焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 容易,成本低,焊料接头的光只,板级检查;GydF4y2Ba

超快速的交期(4〜6周)GydF4y2Ba

  • 降低库存开销GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba

  • 石油勘探钻井GydF4y2Ba
  • 功率放大器GydF4y2Ba
  • 工业电机GydF4y2Ba
  • 压力仪表GydF4y2Ba
  • 航空航天设备GydF4y2Ba
  • 雷达GydF4y2Ba
  • 航空电子学GydF4y2Ba

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文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装组合报告GydF4y2Ba 组成的报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
制造业须知SiTime的振荡器GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的冲突金属声明GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime的环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
在日期代码SiTime的保修(16.72 KB)GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015年注册证书GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
冲突矿产报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装鉴定报告 - 嘉盛GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiTime的振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺的产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX,SiT89XX高温产品合格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23封装UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装均质材料和SGS报告 - 嘉盛GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
SiTime的环境合规性声明GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明的证书GydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba
5引脚SOT23封装均质材料和SGS报告 - UTACGydF4y2Ba 符合RoHS / REACH /绿色证书GydF4y2Ba

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资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT2020 7.3728MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 8.192MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 8MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 9.8304MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 9.84375MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 LVCMOS为11.0592MHzGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 12.288MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 12MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 13.52127MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 13.225625MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 13MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 14.31818MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 15MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 16.384MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 16MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020的18.432MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 19.6608MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 20MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 22.1184MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 24.56MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 24.576MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 24MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 25MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 26MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 27MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 29.4912MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 30MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 32MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 33MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 36MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 40MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 48MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 50MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 54MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 60MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020中的62.5MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 66MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 72MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 74.25MHz时LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 74.176MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 74.175824MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 75MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 77.76MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 100MHz的LVCMOSGydF4y2Ba 频率专项测试报告GydF4y2Ba
SiT2020(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2020(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2020(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2020(LVCMOS,2.25到3.63 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SiT2020(LVCMOS,3.3 V)GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能对比:硅MEMS诗篇石英晶体振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器提升时钟性能在工业和Hi-的可靠性应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量时钟抖动精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量精确授时应用相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何获取即时振荡器,SiTime公司的新领域程序员GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS VS石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器提供用于LED照明的优势GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS计时解决方案提高触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
医疗应用现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超强劲的MEMS定时解决方案提高电表应用的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器提高在电机控制应用中的可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
基于MEMS谐振器和振荡器,现在更换石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
取得联系与MEMS:机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SiT2020B数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨终端方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
对于单端振荡器驱动单个或多个负载AN10002端接建议GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定义と测定方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SiTime公司発振器の信頼性计算方法GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
AN10025可靠性计算了SiTime的振荡器GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形计测方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の电磁场感受率の比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比较(耐冲撃と耐振动)GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数测定ガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10033频率振荡器测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
韧性和硅MEMS振荡器的可靠性GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
SiTime的MEMSの首先™プロセス技术GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
SiTime公司的MEMS首先™和EpiSeal™进程GydF4y2Ba 科技论文GydF4y2Ba
顶部8的理由使用的振荡器,而不是一个晶体谐振器的GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优势 - 如何MEMS谐振器工作的一部分2yabo网赌GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何衡量长期抖动和周期到周期抖动精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
SiTime公司的Time Machine II产品简介GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
在ITU-T标准AN10052 IEEE 1588精密时间协议(PTP)GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SiTime的MEMS首先工艺GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10062相位噪声测量指南振荡器GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
相位噪声测量教程(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
PCI Express的REFCLK抖动标准采用相位噪声分析仪GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
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SiTime的MEMS振荡器和时钟发生器在电子高峰(下载yabo体育手机版MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
SiTime公司的Time Machine II - 第1部分:如何安装振荡器编程软件(下载MP4视频)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
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SOT 23 5引脚GydF4y2Ba 3D STEP模型GydF4y2Ba
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SiTime的MEMS定时解决方案(A4)中国GydF4y2Ba MEMS时序解小册子/传单GydF4y2Ba
工业定时解决方案GydF4y2Ba MEMS时序解小册子/传单GydF4y2Ba
硅替代对象石英(日文字幕)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba
硅替代对象石英(中国字幕)GydF4y2Ba 影片GydF4y2Ba