115至137兆赫兹,宽温AEC-Q100 SOT23振荡器gydF4y2Ba

SiT2025B是最可靠和最高质量的AEC-Q100兼容SOT23振荡器,适用于汽车和极端温度应用。该设备提供了完美的高频范围(高达137mhz)、优异的稳定性(±20ppm)和极端温度范围(-55至125℃)的组合。具有业内最好的0.1 ppb/g的振动灵敏度,10000 g的冲击和70 g的抗振性能。gydF4y2Ba

小型SOT23-5封装提供了最好的板级焊点可靠性和简单,低成本,光,板级焊点检查。gydF4y2Ba

程序振荡器,以获得即时样本,优化的性能,和快速原型|gydF4y2Ba了解更多gydF4y2Ba

查看相关产品:gydF4y2Ba1至110兆赫gydF4y2Ba|gydF4y2BaQFN封装gydF4y2Ba|gydF4y2Ba坚固耐用gydF4y2Ba|gydF4y2Ba汽车及高温生产线gydF4y2Ba

铅SOT23包装,以最佳的板级可靠性,检查,和可制造性gydF4y2Ba
振荡器类型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 115至137兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20±25±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 psgydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba LVCMOSgydF4y2Ba
工作温度范围(℃)gydF4y2Ba -40 - 85(3级)、-40 - 105(2级)、-40 - 125(1级)、-55 - 125 (Ext. Cold 1级)gydF4y2Ba
FlexEdgegydF4y2BaTMgydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba
供电电压(V)gydF4y2Ba 1.8 2.5到3.3gydF4y2Ba
²包类型(毫米)gydF4y2Ba SOT23 (2.9 x2.8)gydF4y2Ba
特性gydF4y2Ba 现场可编程,高温125°C, AEC-Q100, SOT23-5gydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • 高达137兆赫gydF4y2Ba
  • ±20 ppmgydF4y2Ba
  • -55至125°CgydF4y2Ba
    • 在极端温度范围内的最佳稳定性,是汽车和其他高可靠性应用的理想选择gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下,性能不会下降gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 不可毁灭的gydF4y2Ba

可配置的上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对任何子系统的干扰gydF4y2Ba

SOT23-5包gydF4y2Ba

  • 最好板级的焊点可靠性gydF4y2Ba
  • 简单、低成本、光、板级焊点检测gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ecugydF4y2Ba
  • 晶体替代gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • 发动机和动力系统gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5L-SOT23包组成报告gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器制造注意事项gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
日期代码的SiTime保证(16.72 kB)gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5L-SOT23包装检验报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX、SiT89XX高温产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SOT23封装UTAC可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电圆片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
爵士塔晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包均质材料和SGS报告- CarsemgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料及SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环境遵从性声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
欧盟RoHS认证gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5 - sot23包装均质材料和SGS报告- UTACgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT2025 125 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 特定频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2025 133 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 特定频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 2.25 ~ 3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS和石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高了时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何在精密计时应用中测量时钟抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
在精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何得到即时振荡器与SiTime的新领域程序员gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS与石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
提高汽车可靠性和性能与超强大的MEMS振荡器gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
现场可编程定时解决方案的医疗应用gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于ems的谐振器和振荡器正在取代石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
与MEMS的接触:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT2025B数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002终止建议单端振荡器驱动单或多负载gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英基振子的电磁磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英基振荡器的冲击和振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First和EpiSeal™流程gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大理由gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器优点- MEMS谐振器如何工作第2部分yabo网赌gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期到周期的抖动在精密计时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性与测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
SiTime Time Machine II产品简介gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
ITU-T标准中的精度时间协议(PTP)gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
相位噪声测量教程(下载MP4视频)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
一种PCI Express Refclk抖动依从使用相位噪声分析仪gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS计时参数的优势(下载MP4视频)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)(下载MP4视频)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(日文字幕)(下载MP4视频)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革命性的计时市场(下载MP4视频)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
电子高峰会上的SiTime MEMS振荡器和时钟发生器(yabo体育手机版下载MP4视频)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的Time Machine II -第1部分:如何安装振荡器编程软件(下载MP4视频)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器(下载MP4视频)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SOT 23 5引脚gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
对于汽车系统定时解决方案gydF4y2Ba MEMS计时解决方案手册/传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS计时解决方案(8.5x11)gydF4y2Ba MEMS计时解决方案手册/传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(A4)gydF4y2Ba MEMS计时解决方案手册/传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(A4)中文gydF4y2Ba MEMS计时解决方案手册/传单gydF4y2Ba
硅替代对象石英(日文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba