115至137兆赫,宽温AEC-Q100振荡器(-55至+ 125℃)gydF4y2Ba

该SiT8925B是最可靠和高频汽车和其他极端温度应用最优质的AEC-Q100振荡器。此设备提供了高频率的最小2.0x1.6毫米包是不完美的结合(高达137兆赫),优异的稳定性(±20ppm)的和最宽的温度范围内(-55℃至125℃)可容易地从石英。该器件还具有业界最佳的抗冲击和振动。gydF4y2Ba

该SiT8925有五种工业标准封装,因此取代石英产品无任何设计变更。gydF4y2Ba

程序振荡器,以获得即时样本,优化的性能,和快速原型|gydF4y2Ba学到更多gydF4y2Ba

5个行业标准足迹,最小到2016年为所有频率,电压和稳定性gydF4y2Ba
振荡器型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 115至137兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20,±25,±30,±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 PSgydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba LVCMOSgydF4y2Ba
工作温度范围(℃)gydF4y2Ba -40到+85 -40到+105 -40到+125 -55到+125gydF4y2Ba
FlexEdgegydF4y2BaTM值gydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是gydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba 1.8,2.5〜3.3gydF4y2Ba
封装类型(平方毫米)gydF4y2Ba 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0gydF4y2Ba
特征gydF4y2Ba 现场可编程,高温125℃,AEC-Q100gydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • 频率稳定性±20ppmgydF4y2Ba
  • 在-55到+ 125°C汽车温度。范围gydF4y2Ba
  • 在2.0×1.6 mm的封装:gydF4y2Ba
    • 用于汽车和/或空间受限的操作环境最好的时序余量gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba-灵敏度gydF4y2Ba

  • 在高振动条件下具有最佳的鲁棒性gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下最佳的系统可靠性gydF4y2Ba

配置的驱动力和上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI减少对其他子系统的干扰gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%简易替代石英的XOgydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba

  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 信息娱乐系统gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 相机gydF4y2Ba
  • 雷达和激光雷达gydF4y2Ba
  • 汽车以太网gydF4y2Ba
  • 动力总成gydF4y2Ba
  • 黑盒gydF4y2Ba
  • 国防与航空航天gydF4y2Ba
  • 汽车XTAL更换gydF4y2Ba
  • 无线充电器gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN封装组成的报告(SiT160X,SiT800X,SiT1618,SiT89XX)gydF4y2Ba 组成的报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
制造业须知SiTime的振荡器gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime的冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime的环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
日期代码的SiTime保证(16.72 kB)gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015年注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN封装鉴定报告 - UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装检验报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装检验报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX,SiT89XX高温产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L/6L-QFN包装均匀材料及SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料及SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime的环境合规性声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
欧盟RoHS认证gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8925 125 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT8925 133 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率专项测试报告gydF4y2Ba
SiT8925(LVCMOS,1.8 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
SiT8925(LVCMOS,2.25到3.63 V)gydF4y2Ba IBIS模型gydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
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如何测量精确授时应用相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
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QFN 3225 4针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
汽车系统定时解决方案gydF4y2Ba MEMS时序解小册子/传单gydF4y2Ba
SiTime的MEMS定时解决方案(8.5x11)gydF4y2Ba MEMS时序解小册子/传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(A4)gydF4y2Ba MEMS时序解小册子/传单gydF4y2Ba
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