是的。使用我们的在线交叉参考工亚博国际老虎机游戏平台具。如果需要其他帮助，请联系您当地的销售代表指定石英XO的部件号，包括优选的包装，操作温度范围，和VDD。

等效SiTime的家庭SiT1602和SiT800x可以取代所有SiLlabs CMEMS振荡器。这个年轻人家庭数据表可以发现这里。

所有Discera公司单端（SE）的振荡器可以通过列出SiTime的SE等同的部件代替这里。
所有Discera公司差动端（DE）的振荡器可以通过列出SiTime的DE等同部件来替换这里。

是的。所有的SiTime产品都通过RoHS认证。

请访问的质量和可靠性本网站的部分。您将需要一个注册用户从本节文件下载。

不，他们不是。

“活动倾角”被定义为在基于晶体石英振荡器频率的突然变化。基于晶体振荡器可能经常在临界温度下表现出活性浸涂，同样突然从临界值远返回到正常的行为对于温度的小的偏差。

活动下降最常见的原因是:

1. “耦合模式” - 温度系数不同的不同的晶体振荡模式的冲突。
2. 湿气晶体封装内冷凝到石英板。

所有这些效果可以抢能量的主要振荡模式，从而有效地使晶体掉落出振荡或以不同的晶体模式暂时振荡。

SiTime公司的基于MEMS的振荡器不受这些影响，原因有二：

1. SiTime的MEMS振荡模式主要由硅的材料性质来确定;所有模式或寄生响应特性随温度以完全相同的方式与基本振动模式变化。因此，不同的模式可从不在相同的频率相互作用，并导致浸渍。
2. SiTime公司的MEMS第一™过程使用标准的硅制造技术，以气密地密封所述MEMS在非常高的温度，清洁，真空环境中。这为MEMS的非常干净，无水分的环境中，并消除或污渍的水分引起的活动骤降的可能性。

SiTime公司采用业界标准流程进行的使用加速生命周期的压力测试类似HTOL产品的可靠性资格。

关键可靠性度量SiTime的发布是FIT或（在故障时间），其提供经过1十亿小时的操作的设备故障的预期数的估计。一个相关的度量是MTBF（平均故障间隔时间），这是FIT的倒数。

其他可靠性指标是：
EFR -早期失效结果
ESD - 静电放电
LU - 闭锁
MS - 机械冲击
VFV - 变频振动
VF - 振动疲劳
CA - 恒定加速度

所有SiTime的产品设计并投入使用我们强大的6西格玛工艺生产。产品充分的特点，并根据适当JEDEC和AEC标准合格。为了确保最高品质，SiTime的温度范围内从每个生产批次部分的样品进行地块验收测试（LAT）。

SiTime极高的质量已经证明了数亿单位的出货量。我们的实际现场回报率低于2dppm，在半导体行业名列前茅。经过6年多的发货，SiTime没有发生过MEMS现场故障。

FIT（在故障时间）是基于加速试验（JEDEC22-A108）在统计学上外推值和施加的加速因子基于所述测试的器件上的故障模式。在跨越各种产品FIT率的差异​​是由于不同数量的设备小时各产物应力测试。生成可靠性报告时，FIT数字报告。请参考最新的FIT值最新的可靠性报告。//www.lzhylxs.com/亚博电竞support/quality-and-reliability#magictabs_eDH8P_3。

所有SiTime的产品共享相同的基础技术和工艺。如2015年10月的，SiTime的应力测试数千振荡器的用于与无故障的3307000设备小时的累积试验时间，导致0.88计算FIT值或1140万小时一个MTBF。

SiTime的MEMS振荡器都建有一个MEMS谐振器和使用标准的半导体封装工艺CMOS管芯。由于一直没有MEMS运到日期> 2.5亿产品中谐振器的故障，我们不能MEMS计算活化能（Ea）。因此，我们使用行业标准的EA = 0.7电子伏特的CMOS作为EA的产品。我们正在使用的设备作为EA的最坏情况元素的EA计算对我们产品的可靠性指标，FIT和MTBF。有关我们如何计算FIT更多细节/ MTBF值请参考应用笔记可靠性计算的SiTime的振荡器。

一个使能极其稳定MEMS谐振的关键要素是SiTime公司的EpiSeal™工艺在晶片处理期间，其气密yabo网赌地密封的谐振器，从而消除了任何需要气密密封的陶瓷封装。SiTime公司的EpiSeal谐振器是不透在大气中，氮和氧的最高浓度的元素，因此作为一个完美的密封。EpiSeal谐振器的前几代可能已经影响大的浓度小分子加油站。较新的EpiSeal谐振器不受任何小分子气体。请情况下，你打算接触SiTime公司使用SiTime的设备在高浓度的小分子气，让我们可以推荐一个合适的，免疫的一部​​分。

SiTime的MEMS振荡器的设计，以达到最佳的一流的弹性，EMI。该行业标准的测量和性能曲线的EMI敏感性（EMS）记录在应用笔记MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较。

SiTime的MEMS振荡器被设计成振动不太敏感和极其冲击比同类石英部件具有抗性。它们的设计最好的一流的弹性表现出的冲击和振动，冲击和振动行业标准测量和性能曲线在应用笔记记录MEMS和石英基振荡器的冲击和振动比较。

电源噪声灵敏度（PSNR）为兆赫振荡器的抖动的每毫伏诱导在指定的噪声频率的噪声注入电源的量来定量。SiTime的MEMS振荡器兆赫被设计，以达到最佳的一流的PSNR性能低至每毫伏0.21 ps的集成相位抖动（12千赫至20兆赫）注入电源噪声的跨越10千赫的频率为20 MHz。

kHz振荡器系列(SiT153x、SiT1552、SiT1630)的电源噪声灵敏度(PSNR)是根据在10khz到10mhz的频率范围内注入300mV峰峰正弦噪声的频率偏差进行量化的。上述振子家族的PSNR图在个人中提供数据表。

SiTime的建议使用100毫秒或更大的栅极的时间与高分辨率频计数器等安捷伦53131 / 2A和安捷伦53230A。对于SiT15xx家族微功率32千赫振荡器的精确频率的测量，频率计数器必须具有高稳定性OCXO引用或通过GPS或铷时钟参考被处分。对于其他测量仪器，如时间间隔分析仪或简单的计数器，1秒或更高的一个选通时间，建议。有关详情请参阅应用笔记计量准则的32kHz振荡器SiT15xx。

一个SiT15xx装置的典型无负载工作电流大约是850 nA的在室温下取决于输出级的电压摆幅。当测量电源电流下降到纳安范围，必须使用类似于在Agilent 34401A的高分辨率数字电流表。有关详细信息请参考应用笔记计量准则的32kHz振荡器SiT15xx。

对于CSP封装布局的建议可以在应用笔记中找到最佳设计和布局实践。该制造指引中列出的第10页SiT1532数据表。

2012年包布局的建议可以在应用笔记中找到最佳设计和布局实践。该制造指引中列出的第9页SiT1533数据表。

我们的超高效单端SiT820x家庭和差动端SiT912x家庭提供最佳的抖动容限作为参考时钟以下串行接口。

• USB 2.0
• 的PCIe 1.0，2.0的PCIe，3.0的PCIe
• SAT-2，SAT-3
• SAS，SAS-2，SAS-3
• 1,10和40千兆
• 1 gfc, 2 gfc 4 gfc

对于那些对功耗敏感的，我们的低功耗单端振荡器家庭应用SiT1602，SiT8008 / 9，SiT1618，SiT891x，SiT892x推荐用于以下接口。

• USB 2.0
• SAT-2，SAT-3
• SAS，SAS-2，SAS-3
• EPON
• 1千兆以太网

峰 - 峰周期到周期抖动（C2C）可以从周期抖动如下计算在数据表中指定的（PerJ）规格。
C2C_rms =√3* PerJ_rms
C2C_p-P = 2 * 3.09 * C2C_rms，对1000个样本

例如：SiT9120峰 - 峰抖动C2C将12.8 ps的P-P典型和18.2 ps的P-P最大。

你可以在最常见的频率找到相位抖动我们在线相位噪声和抖动计算器。在特定的供应电压和输出频率的周期抖动可以在SiTime产品数据表中找到。在相同的VDD条件下，所有的SiTime设备将在所有支持的频率上显示相似的周期和相位抖动。亚博电竞中还提供了周期和相位抖动值频专项测试报告。

SiTime的相位噪声和抖动计算器可以计算集成相位抖动（RMS）和情节相位噪声数据。

相位噪声地块也包括在SiTime公司的频专项测试报告。

对于未涉及的在线工具或报告的频率，请联系SiTime的销售支持团队（亚博电竞电子邮件要么在线表格），并指定以下。

• 基本系列零件号(SiT1602、SiT820x等)
• 在赫兹的标称频率
• 在VDD伏（1.8 / 2.5 / 3.3）
• 起动频率偏移（10，100，1K）以Hz

对于一个快速的估计，使用以下公式推导出相位噪声为您的特定频率：

PNs = PNi + 20*Log (Fs/Fi)

哪里;
网络连接 - 公布相位噪声的标称主频
FS - 被请求相位噪声标称频率
PNI - 发布相位噪声

的PN - 衍生的相位噪声为特定标称频率

在大多数应用中，LVCMOS振荡器驱动容性负载。在上升沿，该设备汲取电流从电源到充电的负载电容。在下降沿，电容放电至GND。通过负载会的平均电流取决于以下参数：

输出频率(输出端)。这决定了电流从电源中抽出的频率。

1. 负载电容值（C负载）。较大的电容值，需要更多的电流来充电，负载电容。
2. 电源电压（VDD）。更多的电流需要负载充电到更高的电压。

从负载的附加电源的电流被计算为如下：

I_load = Cload * Vdd * Fout

在F1输出频率空载电流消耗可以被估计为（1）在基准频率F0，这是在数据表中指定的，和无负载电流的总和（2）在驱动电流上内部电容的两个频率之间的差，如下面的等式：

IDD_NL_F1 = IDD_NL_F0 + CINT·VDD·（F1 - F0）

哪里：
IDD_NL_F1：空载电流消耗频率F1，
IDD_NL_F0：在频率F0在数据表规定的无负载电流消耗，
VDD：电源电压，
CINT：内部电容：
6.5 pF的（典型值）和8 pF的（最大）为SiT1602，SiT8008 / 9，SiT1618，SiT8918 / 9，SiT8920 / 1/4/5的家庭
12pF的（典型值）和14 pF的（最大）为SiT8208 / 9，SiT8225，SiT8256，SiT3807 / 8/9，SiT3701，SiT8102家庭

参阅有关申请通知书附录C的表格对于单端振荡器驱动单个或多个负载端接建议。

是的。SiTime的振荡器被设计成具有可编程的体系结构，使几个参数，包括器件的工作范围内的任何输出频率（以精度六个小数），频率稳定度（PPM）和电源电压的配置。附加功能，如驱动强度可以被编程和销1的功能可以被改变，以匹配应用要求。关于规范选项的详细信息，请参阅产品数据表中的订购信息页面。

根据数量和交货期的要求，SiTime振荡器可以在工厂进行批量编程(3至5周的交货期)，也可以由特定的授权经销商进行编程(24小时的交货期)，或者在现场使用a进行即时编程时间机器II便携式编程器的样品体积。

对于大多数SiTime的振荡器（引脚1）的特征引脚可以编程为“输出使能”（OE）或“待机”（ST）的功能。在这两种情况下，拉销1低停止设备的输出振荡，但在两种不同的方式，如下所述。

将逻辑低应用到OE pin只会禁用输出驱动程序并将其置于Hi-Z模式，但设备的其余部分仍在运行。由于输出不活跃，功耗降低。例如，对于3.3 v SiT8003 20 MHz的设备，IDD在15 pF负载下从4 mA降低到3.3 mA。当OE引脚被拉高时，输出通常使小于1美。

与ST销的装置进入当ST引脚被拉低待机模式。该装置的所有内部电路关闭，电流降低至一个待机电流，典型地在几微安的范围内。当ST被拉高，装置会通过“恢复”过程，这可以从3毫秒到10毫秒。待机电流和恢复时间段期间在装置数据表指定。有些SiTime的数据表没有明确指定恢复时间;在这些情况下，恢复时间是一样的“启动时间”。

是的。与单端LVCMOS输出SiTime的装置通常具有用于升高15 pF的电容性负载指定的时间和下降时间。该装置可驱动更大的负载，最多60 PF，较慢的上升和下降时间。用于需要快速上升的应用程序和下降时间（约1 ns）和驱动大容性负载，缓冲器具有高驱动力输出设备的能力可根据要求。联系SiTime公司更多细节。

是的。用户可以通过改变驱动电流强度来调整SiTime振荡器的输出缓冲器。通过增加或减少输出级的最大驱动电流，可以分别减少或增加上升和下降时间。在驱动较大负载时，高驱动电流强度可使上升和下降时间更快。较低的驱动电流强度可以降低时钟边缘的转换速率，并减少潜在的电磁干扰。

SiTime公司提供现场可编程振荡器与使用时间机器II，振荡器编程器，它允许用户配置各种参数，包括上升和下降时间。

有关详细信息或联系方式，请参阅SiTime数据表SiTime公司与改变的驱动力量订购零部件。

是的。SiTime公司提供现场可编程振荡器与时间机器™II，一个完整的和便携式编程器工具包使用。这个工具可以编程频率，电压，稳定性和诸如驱动强度或扩频其他功能特性。程序员和现场可编程器件适用于快速原型，并通过与自定义创建的频率即时样品或调节驱动器强度优化系统性能。现场可编程振荡器具有工业标准的足迹，这样他们可被用作直接替代用于传统石英振荡器，而无需任何改变电路板。看到时间机器II了解详情。

SiTime公司提供了在系统可编程以下选项：

I2C / SPI振荡器，差分输出（SiT3951和SiT3552）使经由I2C或SPI拉动/调谐频率高达±3200 ppm的用0.005 ppb的分辨率，为设计人员提供了很大的灵活性。

数字控制振荡器（DCXO）与LVCMOS输出（SiT3907）和差分输出（SiT3921和SiT3922）。这些振荡器允许用户动态地改变输出频率的窄范围内（高达±1600ppm的），并用1个ppb的分辨率。

这些器件还取代模拟接口在许多应用VCXO。

SiTime MEMS振荡器提供了两种可配置特性，无需对PCB设计进行任何修改，即可解决电磁干扰问题。

1. 可编程驱动能力
   1. 减少驱动器强度提高时钟波形的上升下降时间，由此衰减的EM波的功率在高次谐波
   2. 数据表中的驱动强度表列出了支持的驱动强度、从5pf到60pf的各种负载电容的可实现的上升-亚博电竞下降时间
   3. 有效地缓解了EM从时钟跟踪源
2. 扩频时钟
   1. 亚博电竞为中心上下传播支持具有高达3次谐波和更高的电磁波的-17 dB的衰减
   2. 传播范围：±0.25％至±2％中心和-0.5％至4％下扩散
   3. 在有效的系统级缓解EM

有关更多信息，请参见扩频振荡器页或应用程序注意SiTime的扩频时钟振荡器。

大部分的单片机和FPGA设计都是以同步数字模块的形式实现的。这些块的时钟树是从一个公共的外部时钟引用派生出来的。SiTime建议使用下行时钟源，以确保这些块中关键计时路径的设置和保持时间不会在进程、VDD和温度之间发生冲突。

有关更多信息，请参见扩频振荡器页或应用程序注意SiTime的扩频时钟振荡器。

SiTime的建议一个0.1μF的低ESR的多层瓷介片状电容器放置在靠近和在VDD和GND引脚所有兆赫振荡器。

对于<1兆赫振荡器家族（SiT153x，SiT1552或SiT1630）不需要旁路电容。这些家族具有内部体滤波提供足够的电源噪声高达300毫伏峰对峰和10兆赫的频率成分进行滤波。

上VDD LC和RC滤波器可以被认为是电源噪声滤波。LC滤波器具有较小的电压降，并优选用于家庭振荡器与IDD>5毫安。RC滤波器可用于振荡器下5毫安绘图。在应用笔记中提供了更多细节最佳设计和布局实践。

号在数据表中的工作电源电压容差指定到该设备已经被表征的DC电压范围。该DC电压容差，标称VDD的一般为10％，不应该与AC纹波噪音对电源电压混淆。的能力，噪声抑制AC电压从电源由电源噪声灵敏度（PSNS），其测量附加的抖动超过一定电源噪声频谱范围由AC感应噪声纹波的量限定。

在大多数应用中，LVCMOS振荡器驱动容性负载。在上升沿，该设备汲取电流从电源到充电的负载电容。在下降沿，电容放电至GND。通过负载会的平均电流取决于以下参数：

输出频率(输出端)。这决定了电流从电源中抽出的频率。

1. 负载电容值（C负载）。较大的电容值，需要更多的电流来充电，负载电容。
2. 电源电压（VDD）。更多的电流需要负载充电到更高的电压。

从负载的附加电源的电流被计算为如下：

I_load = Cload * Vdd * Fout

参阅有关申请通知书附录C的表格对于单端振荡器驱动单个或多个负载端接建议。

是的。与单端LVCMOS输出SiTime的装置通常具有用于升高15 pF的电容性负载指定的时间和下降时间。该装置可驱动更大的负载，最多60 PF，较慢的上升和下降时间。用于需要快速上升的应用程序和下降时间（约1 ns）和驱动大容性负载，缓冲器具有高驱动力输出设备的能力可根据要求。联系SiTime公司更多细节。

我们不提供时钟扇出缓冲器。然而，我们的时钟驱动器可配置为驱动多个负载。有关详细信息，请参阅应用笔记对于单端振荡器驱动单个或多个负载端接建议

号μPower32千赫振荡器的压摆率是纳秒10s的顺序。因此在高达10” 迹线的末端多个负载可以在没有信号完整性或反射的任何关注被驱动。有关详细信息，请参阅应用笔记驱动多个负载与32千赫的毫微瓦功耗MEMS振荡器。