Are SiTime products programmable? How resilient are SiTime MEMS oscillators against EMI? Find the answers to your questions about SiTime products here.
Cross Reference and Second Source Parts
是的。Use ourOnline Cross Reference Tool。If you need additional help, please contact your local销售代表指定Quartz XO的部件号，包括首选包装，工作温度范围和VDD。
The equivalent SiTime families SiT1602 and SiT800x can replace all SiLlabs CMEMS oscillators. Datasheets for this familes can be found在这里。
质量and Reliability
是的。所有境内产品都是RoHS认证。
Please visit the质量和可靠性网站的一部分。你需要成为一个registered用户从本节下载文档。
No, they are not.
“活动倾斜”被定义为基于石英晶系振荡器中频率的突然变化。基于晶体的振荡器通常可以在临界温度下表现出活动倾度，并且突然返回到正常行为，以使温度远离临界值的小偏差。
活动逢低的最常见原因是：
- "Coupled modes" – the collision of different crystal oscillation modes with different temperature coefficients.
- Moisture inside the crystal package condensing onto the quartz plate.
所有这些效应都可以剥夺主振荡模式的能量，有效地导致晶体退出振荡或以不同的晶体模式暂时振荡。
sitMEMS-based oscillators are not subject to these effects for two reasons:
- 距离MEMS振荡模式主要由硅的材料特性决定;所有模式或杂散的响应特性随着基本振荡模式的完全相同的方式变化。因此，不同的模式永远不会以相同的频率交互并导致倾角。
- Sentime的MEMS First™工艺使用标准硅制造技术来密封MEMS在非常高温，清洁，真空环境中。这为MEMS产生了极清洁，无湿度的环境，并消除了污染物或湿气诱导的活性蘸的可能性。
Sentime使用行业标准流程来使用加速生命周期压力测试来开展产品的可靠性资格，如HTOL。
SiTime发布的关键可靠性指标是FIT or（Failure in Time），它提供了10亿小时运行后设备故障预期数量的估计值。一个相关的指标是MTBF（平均无故障时间），它是拟合的反比。
Other reliability metrics are :
EFR - 早期失败结果
ESD - 静电放电
鲁 - 闩锁
MS – Mechanical Shock
VFV - 变频振动
VF – Vibration Fatigue
CA–恒定加速度
All SiTime products are designed and brought into production using our robust 6-Sigma processes. Products are fully characterized and qualified per appropriate JEDEC and AEC standards. To ensure the highest quality, SiTime performs Lot Acceptance Testing (LAT) over the temperature range on a sample of parts from each production lot.
Sentime非常高质量已被证明超过数亿个单位。我们的实际返回率小于2 DPPM，这是半导体行业中最好的。经过六年以上的出货量，SITIME已经进行了零MEMS现场故障。
适合（在时间故障）是基于加速测试（JEDEC22-A108）的统计外推价值，并基于测试设备上的故障模式应用加速因子。各种产品的配体率的差异是由于每个产品的设备数量为额外数量的压力测试。当生成可靠性报告时，报告拟合号。请参阅最新拟合值的最新可靠性报告。//www.lzhylxs.com/亚博电竞support/quality-and-reliability#magictabs_edh8p_3。
All SiTime products share the same underlying technology and process. As of October 2015, SiTime stress tested thousands of oscillators for a cumulative test time of 3,307,000 device hours with no failures, resulting in a computed FIT value of 0.88 or a MTBF of 1,140 million hours.
使用标准半导体封装工艺，使用MEMS谐振器和CMOS模具构建距离MEMS振荡器。由于没有MEMS谐振器故障，迄今为止运输的2.5亿产品，因此我们无法计算MEMS的激活能量（EA）。因此，我们使用行业标准EA = 0.7 EV for CMOS作为产品的EA。我们使用设备的最坏情况下的EA为EA，用于计算我们产品的可靠性度量，拟合和MTBF。有关如何计算拟合/ MTBF值的更多详细信息，请参阅应用笔记恒温振荡器的可靠性计算。
使MEMS谐振器非常稳定的关键因素之一是SiTime的EpiSeal™ 在晶圆加工过程中密封谐振器的yabo网赌过程，消除了对密封陶瓷封装的任何需要。西蒂姆的会阴谐振器不受大气中最高浓度元素氮和氧的影响，因此是一个完美的密封。上一代的会阴谐振器可能已经受到了大浓度的small-molecule气体。较新的截止谐振器对所有人不受限制small-molecule气体。如果您计划在大浓度的情况下使用频率设备，请联系Sintimesmall-molecule天然气，以便我们建议适当的免疫部位。
Resiliency
sitMEMS oscillators are designed to achieve best-in-class resiliency to EMI. The industry standard measurements and performance plots for EMI susceptibility (EMS) are documented in the application note基于MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较。
SiTime MEMS振荡器的设计比类似的石英部件对振动的敏感度低，抗冲击能力强。它们的设计是为了展示最佳的冲击和振动弹性，冲击和振动的行业标准测量和性能曲线记录在应用说明中MEMS和石英振荡器的冲击与振动比较。
Power Supply Noise Sensitivity (PSNR) for MHz oscillators is quantified in terms of the amount of jitter induced per mV of power supply noise injected at the specified noise frequency. SiTime MEMS MHz oscillators are designed to achieve best-in-class PSNR performance as low as 0.21 ps integrated phase jitter (12 kHz to 20 MHz) per mV of injected power supply noise across frequencies of 10 kHz to 20 MHz.
用于KHz振荡器系列的电源噪声灵敏度（PSNR）（SIT153X，SIT1552，SIT1630）在频率偏差方面量化，频率偏差为10 kHz至10 MHz的频率范围。上述振荡器家庭的PSNR图是在个人中提供的数据表。
μPower振荡器
SITIME建议使用100毫秒或更大的栅极时间，与Agilent 53131 / 2A和Agilent 53230A等高分辨率频率计数器。对于SIT15XX系列微功率32 kHz振荡器的精确频率测量，频率计数器必须具有高稳定性OCXO参考或由GPS或Rubidium时钟参考进行纪律。对于其他仪器，如时间间隔分析仪或简单的计数器，建议使用1秒或更高的栅极时间。有关详细信息，请参阅应用笔记Measurement Guidelines for 32kHz SiT15xx Oscillators。
典型的没有SIT15xx器件的负载操作电源电流在室温下约为850纳，具体取决于输出级的电压摆动。当向下测量向纳米AMP范围的电源电流时，必须使用类似于Agilent 34401A的高分辨率数字音高计。有关详细信息，请参阅应用程序说明Measurement Guidelines for 32kHz SiT15xx Oscillators。
The layout recommendations for the CSP package can be found in the application note最佳设计和布局实践。制造指南列于第10页SIT1532数据表。
The layout recommendations for the 2012 package can be found in the application note最佳设计和布局实践。制造指南列于第9页SiT1533型datasheet。
High-speed Serial Interfaces and Jitter
峰顶到峰值周期到周期抖动（C2C）可以从数据表中指定的时段抖动（PERJ）规范如下计算。
c2c_rms =√3* perj_rms.
C2C_P-P = 2 * 3.09 * C2C_RMS，适用于1000个样本
例如：SIT9120的峰峰值C2C抖动将是12.8 PS P-P典型和18.2 ps p-p max。
你可以发现相位抖动在最常见的频率在我们的在线相位噪声和抖动计算器。可以在Sinime产品数据表中找到特定电源电压和输出频率下的时段抖动。同一系列内的所有趋势设备将在相同VDD条件下的所有支持频率上都表现出类似的时期和相位抖动。亚博电竞还提供期间和相位抖动值特定于频率的测试报告。
景区Phase Noise and Jitter Calculator允许您计算集成的相位抖动（RMS）和绘图阶段噪声数据。
相位噪声图也包含在景地中特定于频率的测试报告。
For frequencies not covered by the online tool or reports, please contact the SiTime sales support team (emailoronline form）并指定以下内容。
- 基本家庭部件号（SIT1602，SIT820x等）
- Hz中的标称频率
- VDD (1.8/2.5/3.3) in volts
- Start frequency offset (10, 100, 1K) in Hz
为了快速估计，使用以下等式来导出特定频率的相位噪声：
pns = pni + 20 * log（fs / fi）
Where;
Fi – Nominal frequency of published phase noise
FS - 要求相位噪声的标称频率
句——发表了相位噪声
PNs – Derived phase noise for specific nominal frequency
能量消耗
在大多数应用中，LVCMOS振荡器驱动电容负载。在上升沿期间，设备从电源吸取电流，对负载电容充电。在下降沿，电容放电到GND。通过负载的平均电流取决于以下参数：
输出频率（FOUT）。这决定了电流从电源汲取的频率。
- 负载电容值（Cload）。较大的电容值需要更多电流来充电负载电容。
- 电源电压（VDD）。需要更多电流将负载充电到更高的电压。
来自负载的额外电源电流如下所示：
i_load = cload * vdd * fout
The no load current consumption for output frequency at F1 can be estimated as a sum of (1) no load current at reference frequency F0, which is specified in the datasheet, and (2) the difference in drive current on internal capacitance between two frequencies, as per the equation below:
idd_nl_f1 = idd_nl_f0 + cint·VDD·（F1 - F0）
Where:
IDD\u NL\u F1：频率F1的空载电流消耗，
idd_nl_f0：在频率f0时，在数据表中没有指定的负载电流消耗，
VDD : Power supply voltage,
CINT : Internal capacitance is:
6.5 PF（典型值）和8 PF（最大值）SIT1602，SIT8008 / 9，SIT1618，SIT8918 / 9，SIT8920 / 1/4 / 5家庭
12 pF (typ.) and 14 pF (max.) for SiT8208/9, SiT8225, SiT8256, SiT3807/8/9,SiT3701, SiT8102 families
见本申请须知附录C表用于单端振荡器驱动单个或多个负载的单端振荡器的终止建议。
可编程特征
对。SiTime振荡器采用可编程结构设计，可配置多个参数，包括设备工作范围内的任何输出频率（精确到六位小数）、频率稳定性（ppm）和电源电压。可以对驱动强度等附加功能进行编程，并且可以更改针脚1的功能以满足应用要求。有关规格选项的详细信息，请参阅产品数据表中的订购信息页。
根据数量和延期时间要求，距离振荡器可以在工厂编程为生产卷（三到五周的交货时间），由特定授权分销商（24小时交货时间）编程，或者在现场中立即编程时间机器II用于样本卷的便携式程序员。
大多数环境振荡器（引脚1）的特征引脚可以被编程为“输出使能”（OE）或“待机”（ST）功能。在这两种情况下，拉引销1低位停止设备的输出振荡，但以两种不同的方式，如下所述。
对OE引脚应用逻辑低只会禁用输出驱动器并将其置于Hi-Z模式，但设备的其余部分仍在运行。由于输出不活动，功耗降低。例如，对于3.3V SiT8003 20 MHz设备，对于15 pF负载，IDD从4 mA降至3.3 mA。当OE引脚拉高时，输出通常在不到1us的时间内启用。
A device with an ST pin enters standby mode when the ST pin is pulled Low. All internal circuits of the device turn off and the current is reduced to a standby current, typically in the range of a few microAmps. When ST is pulled High, the device goes through the "resume" process, which can take from 3 ms to 10 ms. The standby current and resume time period are specified in the device datasheets. Some SiTime datasheets do not specify the resume time specifically; in those cases, the resume time is the same as the "start-up time."
是的。sitdevices with single-ended LVCMOS outputs are generally specified with a 15 pF capacitive load for rise and fall times. The device may drive a larger load, up to 60 pF, with slower rise and fall times. For the applications requiring both fast rise and fall times (~1 ns) and the ability to drive large capacitive loads, buffer devices with high drive strength output are available upon request. Contactsit更多细节。
是的。sitoffers field programmable oscillators for use with the Time Machine™ II, a complete and portable programmer kit. This tool can program the frequency, voltage, stability and other functional characteristics such as drive strength or spread spectrum. The programmer and field programmable devices are ideal for fast prototyping and optimizing system performance by creating instant samples with custom frequencies or adjusting drive strength. The field programmable oscillators have industry-standard footprints so they can be used as drop-in replacements for legacy quartz oscillators without requiring any board changes. See时间机器II有关详细信息。
SiTime为系统内可编程性提供以下选项：
I2C/SPI oscillators with differential outputs (位置3951andSIT3552.)通过I2C或SPI以0.005 ppb的分辨率实现高达±3200 ppm的拉/调谐频率，为设计者提供了极大的灵活性。
Digitally-controlled oscillators (DCXO) with LVCMOS outputs (SiT3907）和差分输出（SiT3921andSiT3922). These oscillators allow users to vary the output frequency dynamically within a narrow range (up to ±1600 ppm) and with 1 ppb resolution.
这些设备还更换了许多VCXO应用程序中的模拟接口。
减少EMI
Sentime MEMS振荡器提供了两个可配置的功能，可以解决环境规范的EMI问题，而无需对PCB设计进行任何修改。
- 可编程驱动强度
- 降低驱动强度会增加时钟波形的上升时间，从而在更高的谐波处减弱EM波的力量
- Datasheets中的驱动强度表列出了支持的驱动强度，可实现的各种负载电容从5 PF到6亚博电竞0 PF的可实现上升时间
- 有效缓解来自时钟跟踪的电磁干扰
- 扩频时钟
- 亚博电竞对中心和向下展开的支持达到-17 dB衰减的第3次谐波和更高的EM波
- Spread range: ±0.25% to ±2% center and -0.5% to 4% down spread
- Effective at mitigating EM at the system level
电源噪声抑制
Sitime推荐0.1 UF低ESR多层陶瓷芯片电容，靠近和跨越VDD和GND引脚，适用于所有MHz振荡器。
对于<1 MHz振荡器系列（SIT153X，SIT1552或SIT1630），不需要旁路电容。这些家庭具有内部批量滤波，可提供足够的电源滤波，用于噪声至峰值高达300 MV峰值和10 MHz频率分量。
VDD上的LC和RC滤波器都可以用来滤除电源噪声。LC滤波器具有较小的电压降，并且对于IDD>5ma的振荡器族是优选的。RC滤波器可用于5ma以下的振荡器。更多详情请参阅申请说明最佳设计和布局实践。
不可以。数据表中的操作电源电压容限度指定了设备所表征的直流电压范围。该直流电压容差，通常是名义VDD的10％，不应与电源电压的交流噪声纹波混淆。拒绝电压噪声的能力由电源噪声灵敏度（PSN）定义，该电源噪声灵敏度（PSNS）测量通过在某个电源噪声范围内通过AC噪声纹波引起的额外抖动量。
驱动多个负载
在大多数应用中，LVCMOS振荡器驱动电容负载。在上升沿期间，设备从电源吸取电流，对负载电容充电。在下降沿，电容放电到GND。通过负载的平均电流取决于以下参数：
输出频率（FOUT）。这决定了电流从电源汲取的频率。
- 负载电容值（Cload）。较大的电容值需要更多电流来充电负载电容。
- 电源电压（VDD）。需要更多电流将负载充电到更高的电压。
来自负载的额外电源电流如下所示：
i_load = cload * vdd * fout
见本申请须知附录C表用于单端振荡器驱动单个或多个负载的单端振荡器的终止建议。
是的。sitdevices with single-ended LVCMOS outputs are generally specified with a 15 pF capacitive load for rise and fall times. The device may drive a larger load, up to 60 pF, with slower rise and fall times. For the applications requiring both fast rise and fall times (~1 ns) and the ability to drive large capacitive loads, buffer devices with high drive strength output are available upon request. Contactsit更多细节。
我们不提供时钟扇出缓冲区。但是，我们的时钟驱动程序可以配置为驱动多个负载。有关详细信息，请参阅应用笔记用于单端振荡器驱动单个或多个负载的单端振荡器的终止建议
否。µ功率32 kHz振荡器的转换速率约为10秒ns。因此，可以在不考虑信号完整性或反射的情况下驱动最多10”记录道末端的多个负载。有关详细信息，请参阅应用说明用32khz纳米功率MEMS振荡器驱动多个负载。